一种分子束外延工艺中红磷源质量的测量方法技术

本发明专利技术提供了一种分子束外延工艺中红磷源质量的测量方法，包括以下步骤：

【技术实现步骤摘要】
一种分子束外延工艺中红磷源质量的测量方法


[0001]本专利技术属于半导体领域，涉及一种红磷源质量的测量方法，具体涉及一种分子束外延工艺中红磷源质量的测量方法
。

技术介绍

[0002]分子束外延是在超高真空条件下生长高纯薄膜晶体的一种工艺，为半导体微纳器件的发展起到了推动作用
。
含磷化合物半导体有着优异的电学和光学性能，在光电子以及微电子领域发挥着重要作用
。
但是，在运用分子束外延技术制备磷化物半导体材料时，如何使用磷源一直是个难点
。
[0003]红磷和白磷是磷的两种同素异形体
。
白磷具有极其活跃的化学性质和极低的燃点等特点，在固态源分子束外延系统中，源炉中的磷源通常只能用化学性能较稳定的红磷作为原材料
。
但直接对红磷加热产生束流进行材料生长时，由于红磷束流具有黏附系数低和不稳定性的特点，使得含磷化合物半导体在制备时困难极大增加
。
而具有磷裂解阀的束源炉很好地解决了这个问题，因为源炉分别设计了填充源料的红磷区和供红磷转化为白磷后本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种分子束外延工艺中红磷源质量的测量方法，其特征在于，包括以下步骤：
(a)
向红磷腔中装入高纯红磷原料；
(b)
用针阀断开磷炉和生长室之间的连通，维持裂解炉的温度为
800
～
850℃、
白磷腔温度为
50
～
75℃
；
(c)
升高红磷腔温度至
T
，所述
T
的温度为
360
～
450℃
；
(d)
打开磷炉挡板并调整针阀阀位至
10
％
‑
100
％，测量磷的束流；
(e)
调整阀位使得束流维持6±
0.5
×
10
‑6Torr
以进行生长；
(f)
在不同的红磷腔温度下，根据束流与红磷质量的关系，按下式计算确定红磷源剩余的质量：
y
＝
A*exp(
‑
x/B)+C
；式中，
y
为磷炉束流，
torr
；
x
代表红磷剩余重量，
g。2.
根据权利要求1所述分子束外延工艺中红磷源质量的测量方法，其特征在于：步骤
(b)
中，所述裂解炉的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王红真，路云峰，
申请(专利权)人：苏州信越半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：