【技术实现步骤摘要】
本公开大体上涉及半导体装置，且更特定来说，涉及经配置以增强热缓解的半导体装置结构。
技术介绍
1、微电子装置通常具有包含集成电路系统的裸片(即，芯片)，所述集成电路系统具有高密度的极小组件。通常，裸片包含电耦合到集成电路系统的极小接合垫的阵列。接合垫是供应电压、信号等通过其传输到集成电路系统及从集成电路系统传输的外部电触点。在形成裸片之后，可“封装”所述裸片以将接合垫耦合到更大的电端子阵列，所述电端子阵列可更容易地耦合到各种电力供应线、信号线及接地线。用于封装裸片的常规工艺包含将裸片上的接合垫电耦合到引线、球垫或其它类型的电端子的阵列及囊封裸片以保护它们免受环境因素(例如，湿气、微粒、静电及物理冲击)的影响。
技术实现思路
1、一方面，本公开提供一种半导体装置，其包括：逻辑裸片；第一多个堆叠式存储器裸片，其在所述逻辑裸片的后侧表面上方的第一位置处与所述逻辑裸片电耦合；第二多个堆叠式存储器裸片，其在所述逻辑裸片的所述后侧表面上方的第二位置处与所述逻辑裸片电耦合；第一介电材料，其安置在所述逻辑...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一介电材料是氧化硅，且所述第二介电层由氧化硅制成。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二介电层由与所述第一介电材料不同的材料制成。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述第一介电材料是氧化硅，且所述第二介电层由包含氮化硅及/或碳氮化硅的材料制成。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括安置在所述第一多个堆叠式存储器裸片及所述第二多个堆叠式存储器裸片的侧壁及后侧表面上的第三介电层，其中所述第三介电层由氮化硅制成。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一介电材料是氧化硅，且所述第二介电层由氧化硅制成。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二介电层由与所述第一介电材料不同的材料制成。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述第一介电材料是氧化硅，且所述第二介电层由包含氮化硅及/或碳氮化硅的材料制成。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括安置在所述第一多个堆叠式存储器裸片及所述第二多个堆叠式存储器裸片的侧壁及后侧表面上的第三介电层，其中所述第三介电层由氮化硅制成。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二位置与所述第一位置相隔一定距离，且所述距离在从10μm到10mm的范围内。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一多个堆叠式存储器裸片及所述第二多个堆叠式存储器裸片中的每一者包含顶部存储器裸片及多个核心存储器裸片，所述顶部存储器裸片安置在所述多个核心存储器裸片上方，且所述顶部存储器裸片厚于所述多个核心存储器裸片中的每一者。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述第一多个堆叠式存储器裸片及所述第二多个堆叠式存储器裸片中的每一者包含耦合所述顶部存储器裸片及所述多个核心存储器裸片的互连件，且所述互连件电耦合在所述顶部存储器裸片与所述多个核心存储器裸片的邻近存储器裸片的接触垫之间。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一介电材料进一步安置在所述半导体装置的边缘区中，且所述第一介电材料环绕所述第一多个堆叠式存储器裸片及所述第二多个堆叠式存储器裸片的面向所述半导体装置的所述边缘区的外侧壁。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括安置在所述虚设裸片的后侧表面及侧壁上方的囊封剂材料，所述囊封剂材料水平延伸以环绕所述第一多个堆叠式存储器裸片及所述第二多个堆叠式存储器裸片的侧...
【专利技术属性】
技术研发人员：B·布尚，A·R·格里芬，K·R·帕雷克，A·N·辛格，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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