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提供具有增强的热缓解的半导体装置。所述半导体装置包含：逻辑裸片；第一多个堆叠式存储器裸片，其在逻辑裸片的后侧表面上方的第一位置处与逻辑裸片电耦合；第二多个堆叠式存储器裸片，其在逻辑裸片的后侧表面上方的第二位置处与逻辑裸片电耦合；第一介电材料...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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