【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光学微腔,涉及一种微环芯腔,尤其涉及一种超高品质因子的微环芯腔及其制备方法与应用。
技术介绍
1、片上氧化硅光学微腔发展至今,人们通过工艺的不断优化尝试进一步提高其品质因子。品质因子是一个用来表征微腔内部光学损耗的物理量,且微腔中诸多光学现象的产生都与品质因子息息相关。众所周知,光纤从问世至今的大规模应用离不开其制备工艺的优化和光学损耗的降低,片上氧化硅微腔的未来发展趋势也是如此。
2、根据形状结构的区别,片上氧化硅光学微腔可以分为微球腔、微环芯腔和微盘腔。在前人的工艺中,微球腔和微环芯腔的尺寸只能做到几十微米到两毫米左右,无法做到更大尺寸;微盘腔虽然可以做到任意尺寸,但在品质因子方面却受限于工艺,很难进一步突破。
3、早在1996年,gorodetsky等人就利用氢气微焰加热二氧化硅使其受热熔融,熔融的氧化硅在表面张力的作用下收缩成小球,从而得到了超高品质因子的回音壁微球腔(参见文献:m.l.gorodetsky,a.a.savchenkov,and v.s.ilchenko,"ultimate
...【技术保护点】
1.一种超高品质因子的微环芯腔,其特征在于,所述微环芯腔包括圆形微盘、设置于所述圆形微盘外缘一周的实心圆环,以及支撑所述圆形微盘的底座;
2.根据权利要求1所述的微环芯腔,其特征在于,所述实心圆环的芯腔直径为50-60μm;
3.一种如权利要求1或2所述微环芯腔的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述硅片的厚度为0.8-1.2mm;
5.根据权利要求3或4所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)所述湿法刻蚀采用氢氟酸溶液进行;
6.根据权利
...【技术特征摘要】
1.一种超高品质因子的微环芯腔,其特征在于,所述微环芯腔包括圆形微盘、设置于所述圆形微盘外缘一周的实心圆环,以及支撑所述圆形微盘的底座;
2.根据权利要求1所述的微环芯腔,其特征在于,所述实心圆环的芯腔直径为50-60μm;
3.一种如权利要求1或2所述微环芯腔的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述硅片的厚度为0.8-1.2mm;
5.根据权利要求3或4所述的制备方法,其特征在于,步骤(3)所述湿法刻蚀采用氢氟酸溶液进行;
6.根据权...
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