【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片设计，具体地涉及参考电压源电路、参考电压源电路的高阶补偿方法及芯片。
技术介绍
1、参考电压源或者说带隙基准源用来给电路提供不随温度和电源电压变化的参考电压。基本做法如图1所示，通过利用和绝对温度互补(complementary to absolutetemperature，ctat)的vbe电压，以及和绝对温度成正比(proportional to absolutetemperature，ptat)的电压δvbe相加来得到。输出电压的数学表达式为vout＝vbe+2r1/r2*kt/q*lnj1/j2，这种方案通过引入δvbe＝2r1/r2 kt/q ln j1/j2来补偿vbe的一阶项。但是这种方案只能实现10ppm/℃的温度系数，在整个温度范围内，输出电压的变化仍旧比较大，难以满足高精度测量的需求。为了继续补偿vbe剩下的高阶量从而实现更低的温度系数，研究人员先后提出了各种方案，如分段补偿和指数补偿，对于简单的一阶补偿方案，无法实现更低温度系数的参考电压，不能使用在高精度应用场景中，而现有的高阶补偿方案，虽然实现...
【技术保护点】
1.一种基于BJT前向电流增益温度特性进行高阶补偿的参考电压源电路，其特征在于，包括CTAT电路及PTAT电路，CTAT电路包括第一BJT，所述第一BJTQ1的发射极与PTAT电路相连接，所述第一BJTQ1的集电极与基极相连接并连接公共地，所述PTAT电路包括第二BJTQ2，所述第一BJTQ1和所述第二BJTQ2的电流密度比为1:N，所述第二BJTQ2的集电极与基极相连接并连接公共地，所述参考电压源电路被配置为，通过配置所述第二BJTQ2的偏置电流，实现对所述参考电压源电路的高阶补偿。
2.根据权利要求1所述的基于BJT前向电流增益温度特性进行高阶补偿的参...
【技术特征摘要】
1.一种基于bjt前向电流增益温度特性进行高阶补偿的参考电压源电路，其特征在于，包括ctat电路及ptat电路，ctat电路包括第一bjt，所述第一bjtq1的发射极与ptat电路相连接，所述第一bjtq1的集电极与基极相连接并连接公共地，所述ptat电路包括第二bjtq2，所述第一bjtq1和所述第二bjtq2的电流密度比为1:n，所述第二bjtq2的集电极与基极相连接并连接公共地，所述参考电压源电路被配置为，通过配置所述第二bjtq2的偏置电流，实现对所述参考电压源电路的高阶补偿。
2.根据权利要求1所述的基于bjt前向电流增益温度特性进行高阶补偿的参考电压源电路，其特征在于，所述ptat电路还包括第一电阻r1a、第二电阻r1b、第三电阻r2、第四电阻r3、运算放大器ea1及mos管m1，所述第二bjtq2的发射极与所述第三电阻r2的第二端相连接，所述第二bjtq2的集电极与基极相连接并连接公共地，所述第三电阻r2的第一端与所述第二电阻r1b的第二端及所述运算放大器ea1的反相输入端相连接，所述第一bjtq1的发射极与所述运算放大器ea1的同相输入端及所述第一电阻r1a的第二端相连接，所述第一电阻r1a及所述第二电阻r2a的第一端与所述第四电阻r3的第二端相连接，所述运算放大器ea1的输出端与所述mos管m1的源极相连接，所述mos管的栅极与电源vcc相连接，所述mos管的漏极与所述第四电阻r3的第一端相连接。
3.根据权利要求2所述的基于bjt前向电流增益温度特性进行高阶补偿的参考电压源电路，其特征在于，所述第三电阻r2为可调电阻，其用于调节所述第二bjtq2的偏置电流。
4.根据权利要求2或3所述的基于bjt前向电流增益温度特性进行高阶补偿的参考电压源电路，其特征在于，所述参考电压源电路的基准电压vbg＝vbe1+δvbe*r2/(2r3...
【专利技术属性】
技术研发人员：杜凯旋，王志轩，王佳鑫，刘茂强，赵勇，
申请(专利权)人：杭州微纳核芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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