半导体结构及其制造方法技术

提供了半导体结构及其制造方法。根据本公开实施例的方法包括：接收工件，工件包括位于衬底上方并且具有与第二半导体层交错的第一半导体层的有源区域以及位于有源区域的沟道区域上方的伪栅极堆叠件；蚀刻有源区域的源极/漏极区域以形成暴露有源区域的侧壁的源极/漏极沟槽；选择性并且部分地蚀刻第二半导体层以形成内部间隔件凹槽；在内部间隔件凹槽中形成内部间隔件部件；在第一半导体层的暴露侧壁上形成沟道延伸部件；在源极/漏极沟槽上方形成源极/漏极部件；去除伪栅极堆叠件；选择性去除第二半导体层以在沟道区域中形成纳米结构；以及形成栅极结构以包裹纳米结构的每个。沟道延伸部件包括未掺杂的硅。

【技术实现步骤摘要】

本申请的实施例涉及半导体结构及其形成方法。

技术介绍

1、半导体集成电路(ic)工业经历了指数级增长。ic材料和设计中的技术进步已经产生了多代ic，其中每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。在ic发展的过程中，功能密度(即，每芯片区的互连器件的数量)普遍增大，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺创建的最小组件(或线))已经减小。这种缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这样的缩小也增加了处理和制造ic的复杂性。

2、例如，随着集成电路(ic)技术朝着更小的技术节点发展，已经引入了多栅极器件，以通过增加栅极-沟道耦合、减小截止状态电流以及减小短沟道效应(sce)来改进栅极控制。多栅极器件通常是指具有设置在沟道区域的多于一侧上方的栅极结构或其部分的器件。全环栅(gaa)晶体管是多栅极器件的实例，多栅极器件已经成为用于高性能和低泄漏应用的流行和有前途的候选器件。gaa晶体管具有可以部分或完全在沟道区域周围延伸以在两侧或多侧上提供对沟道区域的访问的栅极结构。因为其栅极结构围绕沟道区域，所以gaa晶体管也可以称为围绕栅晶体管(sgt)。因为本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种制造半导体结构的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沟道延伸部件的形成对半导体材料的表面具有选择性。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述源极/漏极部件之后，所述沟道延伸部件横向延伸至所述源极/漏极部件中。

4.根据权利要求1所述的方法，

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个第一半导体层包括硅，并且所述多个第二半导体层包括硅锗。

6.一种半导体结构，包括：

7.根据权利要求6所述的半导体结构，

8.根据权利要求6所述的半导体结构，

>9.根据权利要求6...

【技术特征摘要】

1.一种制造半导体结构的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述沟道延伸部件的形成对半导体材料的表面具有选择性。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述源极/漏极部件之后，所述沟道延伸部件横向延伸至所述源极/漏极部件中。

4.根据权利要求1所述的方法，

5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宗霖，李威养，温明璋，詹前泰，叶致锴，林大文，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：

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