光电二极管的制备方法和光电二极管技术

本申请提出了一种光电二极管的制备方法和光电二极管，该方法包括：将P欧姆接触层刻蚀为P欧姆接触块；在当前表层生长扩散阻挡膜；在扩散窗口层形成扩散孔；执行Zn扩散处理，使第一区域形成高掺杂P+‑INP的扩散区；在当前表层生长抗反射膜；对P欧姆接触块以及P欧姆接触块临近的部分扩散区进行抗反射膜腐蚀处理，得到P窗口，P窗口的形状为块状；在P窗口处引出P电极，并在衬底层的外表面设置N电极，P电极的形状为块状，P电极所在的第二区域覆盖P窗口所在位置，第二区域与光电二极管的光敏面所覆盖的第三区域非环绕式相邻。本技术方案可将更多的面积释放给光敏面，若光敏面面积一定则可反向减小光电二极管的芯片尺寸。

【技术实现步骤摘要】

【】本申请涉及半导体制造，尤其涉及一种光电二极管的制备方法和光电二极管。

技术介绍

0、
技术介绍

1、在制备光电二极管时，一般先对芯片基体表层进行刻蚀，得到p欧姆接触环，再对位于表层内部的扩散窗口层进行腐蚀，得到扩散孔。一般来说，p欧姆接触环的单边环宽处于2μm-8μm的范围内，而扩散孔需要将p欧姆接触环整个包进去，故扩散孔直径通常会比欧姆接触环的外径大，可在4μm-10μm的范围内选择。最终，通过p窗口将p电极由p欧姆接触环处引出。在此结构中，在芯片基体表层上，p欧姆接触环的内径面积为光电二极管的光敏面。然而，光敏面的大小与光电二极管的光耦合效率是正相关的，对于一些个性化的应用场景，现有结构中的光敏面面积偏小，耦合难度大，难以提升光耦合效率。

2、因此，如何避免光电二极管的因光敏面偏小导致光耦合困难的问题，成为目前亟待解决的技术问题。

技术实现思路

0、
技术实现思路

1、本申请实施例提供了一种光电二极管的制备方法和光电二极管，旨在解决相关技术中因光电二极管的p欧姆本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光电二极管的制备方法，其特征在于，用于将芯片基体处理成光电二极管，所述芯片基体自表层至向内依次包括P欧姆接触层、扩散窗口层、本征吸收层、N型材料接触层和衬底层，则该方法包括：

2.一种光电二极管的制备方法，其特征在于，用于将芯片基体处理成光电二极管，所述芯片基体自表层至向内依次包括P欧姆接触层、扩散窗口层、本征吸收层、N型材料接触层和衬底层，则该方法包括：

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述光电二极管为PIN型光电二极管、APD型光电二极管或MPD型光电二极管。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述将P欧姆接触层刻...

【技术特征摘要】

1.一种光电二极管的制备方法，其特征在于，用于将芯片基体处理成光电二极管，所述芯片基体自表层至向内依次包括p欧姆接触层、扩散窗口层、本征吸收层、n型材料接触层和衬底层，则该方法包括：

2.一种光电二极管的制备方法，其特征在于，用于将芯片基体处理成光电二极管，所述芯片基体自表层至向内依次包括p欧姆接触层、扩散窗口层、本征吸收层、n型材料接触层和衬底层，则该方法包括：

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述光电二极管为pin型光电二极管、apd型光电二极管或mpd型光电二极管。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述将p欧姆接触层刻蚀为p欧姆接触块，包括：

【专利技术属性】
技术研发人员：王权兵，刘应军，易美军，徐之韬，
申请(专利权)人：武汉敏芯半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：