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本申请提出了一种光电二极管的制备方法和光电二极管，该方法包括：将P欧姆接触层刻蚀为P欧姆接触块；在当前表层生长扩散阻挡膜；在扩散窗口层形成扩散孔；执行Zn扩散处理，使第一区域形成高掺杂P+‑INP的扩散区；在当前表层生长抗反射膜；对P欧姆接...
该专利属于武汉敏芯半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉敏芯半导体股份有限公司授权不得商用。

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