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提供了半导体结构及其制造方法。根据本公开实施例的方法包括：接收工件，工件包括位于衬底上方并且具有与第二半导体层交错的第一半导体层的有源区域以及位于有源区域的沟道区域上方的伪栅极堆叠件；蚀刻有源区域的源极/漏极区域以形成暴露有源区域的侧壁的源...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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