【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体，涉及一种用于外延预清洁腔室的预处理方法。
技术介绍
1、在半导体器件制造的各种工序中，基片需要在不同处理设备之间传输，传输过程需要进入大气环境，这会导致基片表面存在大量被自然氧化的材料(sio2)，这些氧化硅覆盖在单晶硅基片表面会导致无法在基片上沉积均一的单晶硅晶体材料层。为此在进行硅或者其它半导体材料外延生长前，需要利用专用的预清洁腔室将这种自然氧化物或者其它污染物清除。
2、例如，外延（epitaxy，epi）生长是一种生长单晶薄膜的技术，该技术在衬底上沉积一层与衬底相同或不同材料的单晶薄膜。所述衬底在进行外延生长前需要在一外延预清洁腔室中进行严格预先清洗刻蚀工艺（pre-clean etching process），以去除基片表面的颗粒污染或氧化层，如氧化硅。
3、现有的预先清洗工艺需要经过两个步骤进行：
4、1）低温成盐步骤(40℃-60℃)，首先，向外延预清洁腔室中通入经过远程等离子激活后的清洁反应气体组，反应气体组包括氟、氮、氢等成分的自由基，与基片表面的氧化硅反应产...
【技术保护点】
1.一种用于外延预清洁腔室的预处理方法，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的用于外延预清洁腔室的预处理方法，其特征在于，所述均一化处理时间为25s~250s，第一预处理气体的流量为10sccm -20sccm，所述第二预处理气体的流量为5sccm -10sccm。
3.如权利要求1所述的用于外延预清洁腔室的预处理方法，其特征在于，在所述均一化处理步骤前，还包含预吸附步骤：通入前驱气体，持续第一时间，使得所述前驱气体吸附在所述腔室内壁表面，所述前驱气体包含NH3和/或含F活性粒子。
4.如权利要求3所述的用于外延预清洁腔室的预处...
【技术特征摘要】
1.一种用于外延预清洁腔室的预处理方法，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的用于外延预清洁腔室的预处理方法，其特征在于，所述均一化处理时间为25s~250s，第一预处理气体的流量为10sccm -20sccm，所述第二预处理气体的流量为5sccm -10sccm。
3.如权利要求1所述的用于外延预清洁腔室的预处理方法，其特征在于，在所述均一化处理步骤前，还包含预吸附步骤：通入前驱气体，持续第一时间，使得所述前驱气体吸附在所述腔室内壁表面，所述前驱气体包含nh3和/或含f活性粒子。
4.如权利要求3所述的用于外延预清洁腔室的预处理方法，其特征在于，所述第一时间为30s~120s，所述均一化处理时间为50s~80s。
5.如权利要求3所述的用于外延预清洁腔室的预处理方法，其特征在于，所述预吸附步骤包含：通入nh3，持续第二时间，使得所述nh3吸附在所述腔室内壁表面，然后通入含f活性粒子，持续第三时间，所述第二时间≥第三时间。
6.如权利要求5所述的用于外延预清洁腔室的预处理方法，其特征在于，所述第二时间≥40s，所述均一化处理时间为50s~80s。
7.如权利要求6所述的用于外延预清洁腔室的预处理方法，其特征在于，所述第二时间为60s~120s。
【专利技术属性】
技术研发人员：王宝赋，刘柱晗，张凯，
申请(专利权)人：中微半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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