一种准二维钙钛矿纳米晶薄膜的制备方法及红光钙钛矿发光二极管技术

本发明专利技术公开了一种准二维钙钛矿纳米晶薄膜的制备方法及钙钛矿发光二极管。通过在钙钛矿前驱体组分加入有机胺盐与两性离子内盐，一步旋涂制备薄膜。其中，在退火过程中，有机胺盐参与钙钛矿结晶，形成多量子阱结构的层状钙钛矿，两性离子内盐中的阴离子与前驱体组分中A位阳离子和有机胺盐存在静电相互作用，抑制层状钙钛矿晶粒的生长，同时抑制晶粒团聚；最终形成低缺陷、表面光滑的准二维钙钛矿纳米晶薄膜，实现器件高效发光。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及钙钛矿发光二极管，具体涉及一种准二维钙钛矿纳米晶薄膜、准二维钙钛矿纳米晶薄膜的制备方法及利用该准二维钙钛矿纳米晶薄膜制备得到的红光钙钛矿发光二极管。

技术介绍

1、金属卤化物钙钛矿材料拥有优异的半导体特性和卓越的光电特性，在显示与照明领域具有很大的应用潜力。目前满足红色显示(620nm～650nm)所需求的钙钛矿led的主要材料是由钙钛矿量子点组成，然而其热溶剂法制备工艺复杂，且发光亮度较低，制约着红光钙钛矿led在显示应用的发展。因此，简化红光钙钛矿发光层的制备工艺及提升红光钙钛矿发光器件的效率刻不容缓。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术的不足提供一种准二维钙钛矿纳米晶薄膜、薄膜的制备方法以及高效的红光钙钛矿发光二极管。

2、本专利技术的技术方案如下：

3、一种准二维钙钛矿纳米晶薄膜的制备方法，该方法是通过向钙钛矿前驱体溶液中加入有机胺盐与两性离子内盐，采用一步旋涂薄膜法制备得到；其中，所述的钙钛矿前驱体溶液由有机胺盐、ax、bx2和两性离子本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种准二维钙钛矿纳米晶薄膜的制备方法，其特征在于通过向钙钛矿前驱体溶液中加入有机胺盐与两性离子内盐，采用一步旋涂薄膜法制备得到；其中，所述的前驱体溶液由有机胺盐、AX、BX2和两性离子内盐按照0.01～10:0.1～10:0.1～10:0.01～10的摩尔比例混合而成，A为阳离子基团，B为金属阳离子，X为卤素阴离子。

2.根据权利要求1所述的准二维钙钛矿纳米晶薄膜的制备方法，其特征在于所述的有机胺盐、AX、BX2和两性离子内盐的摩尔比例为0.01～1:0.1～10:0.1～10:0.01～1。

3.根据权利要求1所述的准二维钙钛矿纳米晶薄膜的制备方法，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种准二维钙钛矿纳米晶薄膜的制备方法，其特征在于通过向钙钛矿前驱体溶液中加入有机胺盐与两性离子内盐，采用一步旋涂薄膜法制备得到；其中，所述的前驱体溶液由有机胺盐、ax、bx2和两性离子内盐按照0.01～10:0.1～10:0.1～10:0.01～10的摩尔比例混合而成，a为阳离子基团，b为金属阳离子，x为卤素阴离子。

2.根据权利要求1所述的准二维钙钛矿纳米晶薄膜的制备方法，其特征在于所述的有机胺盐、ax、bx2和两性离子内盐的摩尔比例为0.01～1:0.1～10:0.1～10:0.01～1。

3.根据权利要求1所述的准二维钙钛矿纳米晶薄膜的制备方法，其特征在于所述的阳离子基团为rb+、cs+、ma+和fa+中的任意一种或多种；金属阳离子为pb2+，sn2+，cu2+中的任意一种或多种；卤素阴离子为i-、br-、cl-中的任意一种或多种。

4.根据权利要求1所述的准二维钙钛矿纳米晶薄膜的制备方法，其特征在于所述准二维钙钛矿结构通式为a’2an-1bnx3n+1，n＝1～7；其中，a’为大尺寸有机阳离子基团，所述的大尺寸有机阳离子基团为胍阳离子、苯乙胺阳离子或苯丁胺阳离子。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的有机胺盐中，其阳离子包括但不限于胍基、眯基和肼基，伯胺盐、仲胺盐、叔胺盐和季铵盐；其阴离子包括i-、br-、cl-、f-。

6.根据权利要求1所述的准二维钙钛矿纳...

【专利技术属性】
技术研发人员：王建浦，伊昌，张国林，
申请(专利权)人：南京工业大学，
类型：发明
国别省市：