【技术实现步骤摘要】
本技术涉及碳化硅粉料合成领域，特别涉及一种用于合成碳化硅的坩埚结构。
技术介绍
1、碳化硅是目前最为关注的第三代宽禁带半导体材料之一，因其具有禁带宽度大、饱和电子迁移率高、击穿场强大、热导率高等优异性质，被广泛应用于电力电子、光电子器件等领域。
2、目前，物理气相传输法是块状碳化硅单晶比较成熟的制备技术，要使用物理气相传输法得到高质量的碳化硅单晶，必须采用高纯度、粒径均匀的碳化硅粉料原料。碳化硅粉体的合成一般采用将高纯碳粉和硅粉混合后放入坩埚内，通过加热坩埚，并在坩埚中建立合适温度梯度的固定热场使得碳粉和硅粉反应合成碳化硅颗粒，当坩埚内的温度梯度比较大时，不利于粉料粒径的均匀性和晶型单一性。
3、中国专利文件cn216514263u公开了一种碳化硅粉料合成套件，该申请文件通过设计外套体套于坩埚盖上形成容置腔，利用形成的容置腔容纳由坩埚盖与坩埚桶的连接处溢出的气氛，通过这种方式减少合成粉料过程中粉料气氛泄漏到热场中；这种结构虽然在一定程度减少了挥发气氛溢出到热场中，但顶部形成的容置腔会使顶部于坩埚其他位置有较大的温...
【技术保护点】
1.一种用于合成碳化硅的坩埚结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种用于合成碳化硅的坩埚结构，其特征在于：所述内层石墨坩埚体和所述外层石墨坩埚体均为直筒型。
3.根据权利要求1或2所述的一种用于合成碳化硅的坩埚结构，其特征在于：所述第二底部锅体的顶部内侧依次设置有两个环形台阶，两个所述环形台阶的中轴线与第二底部锅体的中轴线相重合。
4.根据权利要求1所述的一种用于合成碳化硅的坩埚结构，其特征在于：所述底部空间和顶部空间均填充保温材料，或者，底部空间和顶部空间其中一个填充保温材料。
5.根据权利要求1所述的一...
【技术特征摘要】
1.一种用于合成碳化硅的坩埚结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种用于合成碳化硅的坩埚结构，其特征在于：所述内层石墨坩埚体和所述外层石墨坩埚体均为直筒型。
3.根据权利要求1或2所述的一种用于合成碳化硅的坩埚结构，其特征在于：所述第二底部锅体的顶部内侧依次设置有两个环形台阶，两个所述环形台阶的中轴线与第二底部锅体的中轴线相重合。
4.根据权利要求1所述的一种用于合成碳化硅的坩埚结构，其特征在于：所述底部空间和顶部空间均填充保温材料，或者，底部空间和顶部空间其中一个填充保温材料。
5.根据权利要求1所述的一种用于合成碳化硅的坩埚结构，其特征在于：所述侧部空间填充保温...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗胜益，石林，杨倩倩，
申请(专利权)人：苏州清研半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。