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本技术涉及碳化硅粉料合成技术领域，特别涉及一种用于合成碳化硅的坩埚结构；包括内层石墨坩埚体，包括围合形成第一内腔室的第一底部锅体、第一侧部锅体、第一顶部锅体；外层石墨坩埚体，套设在内层坩埚体的外部，包括围合形成第二腔室的第二底部锅体、第二侧...
该专利属于苏州清研半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州清研半导体科技有限公司授权不得商用。

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