一种高纯碳化硅粉料的合成方法技术

本发明专利技术涉及碳化硅粉制造技术领域，具体涉及一种高纯碳化硅粉料的合成方法，包括：S1、将石墨纸或碳纤维布粘贴在电阻加热材料和/或沉积腔室内壁上，将电阻加热材料连接在电极上；S2、将沉积腔室内的压力调节至真空状态或者置换为氩气气氛，将温度加热到900‑1300℃；S3、将甲基三氯硅烷、氯化硅、氢气、氩气、烃类气体按比例输送到沉积腔室内进行沉积，沉积10‑150h，得到碳化硅块体；S4、将得到的碳化硅块体依次进行破碎处理、清洗处理，得到碳化硅粉体；S5、将碳化硅粉体进行高温处理，得到碳化硅单晶生长所用的碳化硅粉料。该方法能够提高碳化硅粉料的生产效率，降低生产成本；合成的碳化硅粉料具有可控的粒径，较高的纯度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及碳化硅粉制造，特别涉及一种高纯碳化硅粉料的合成方法。

技术介绍

1、目前通常采用物理气象传输法(pvt)制备碳化硅衬底；并且碳化硅单晶的生长源通常为碳化硅粉料。因此，碳化硅粉料的纯度、粒径等对碳化硅单晶的生长起到了至关重要作用，将会直接影响生长的碳化硅单晶的晶体质量。目前，现有的碳化硅粉料普遍都是采用自蔓延高温合成法（shs）来合成的，自蔓延高温合成法又称燃烧合成（combustionsynthesis）技术，是利用反应物之间高的化学反应热的自加热和自传导作用来合成材料的一种技术，当反应物一旦被引燃，便会自动向尚未反应的区域传播，直至反应完全；即通过将高纯硅粉与碳粉均匀混合后高温加热得到碳化硅。然而，由于高纯石墨粉与硅粉的制备成本较高，碳化硅粉料的合成成本也居高不下；此外，受到自蔓延高温合成的工艺限制，碳化硅粉料纯度可能受到活化剂影响，难以合成大粒径的、高纯度的碳化硅粉料；例如，专利公开号为de112012002094b4，公开了使用高纯碳粉与硅粉进行高温合成高纯碳化硅粉料的方法，制备得到的碳化硅粉料，其粒径在0.01-2mm范围内。为制备高本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高纯碳化硅粉料的合成方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种高纯碳化硅粉料的合成方法，其特征在于：所述S3中，所述烃类气体为丙烯、乙烯、丁二烯中的任意一种或多种的组合。

3.根据权利要求1所述的一种高纯碳化硅粉料的合成方法，其特征在于：所述S3中，在沉积过程中，所述沉积腔室内的压力为0.9-10atm；所述沉积腔室内的温度为1000-1300℃。

4.根据权利要求3所述的一种高纯碳化硅粉料的合成方法，其特征在于：所述甲基三氯硅烷的纯度大于99.99%，且所述甲基三氯硅烷中金属杂质含量小于1ppm。>

5.根据权利...

【技术特征摘要】

1.一种高纯碳化硅粉料的合成方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种高纯碳化硅粉料的合成方法，其特征在于：所述s3中，所述烃类气体为丙烯、乙烯、丁二烯中的任意一种或多种的组合。

3.根据权利要求1所述的一种高纯碳化硅粉料的合成方法，其特征在于：所述s3中，在沉积过程中，所述沉积腔室内的压力为0.9-10atm；所述沉积腔室内的温度为1000-1300℃。

4.根据权利要求3所述的一种高纯碳化硅粉料的合成方法，其特征在于：所述甲基三氯硅烷的纯度大于99.99%，且所述甲基三氯硅烷中金属杂质含量小于1ppm。

5.根据权利要求3所述的一种高纯碳化硅粉料的合成方法，其特征在于：所述步骤s5中，所述高温处理工艺，其处理温度为1500-2300℃，处理时长为5-50h，处理过程中反应腔室内的压力为0.01-1atm。

6.根据权利要求3所述的一种高纯碳化硅粉料的合成方法，其特征在于：所述电阻加热材料为包含c、w、mo...

【专利技术属性】
技术研发人员：石林，杨倩倩，陈明，
申请(专利权)人：苏州清研半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：