【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体设备，特别涉及一种气体供给装置及成膜装置。
技术介绍
1、现有的成膜装置例如cvd(chemical vapor deposition，化学气相沉积)设备通常需要将多种反应气体原料通入反应腔内进行反应，进而在反应腔内的衬底上生长出外延薄膜。
2、然而，采用现有的气体供给装置或结构向所述反应腔内供气方式是预混合方式，即多种反应气体原料在反应腔外的气体管路中预先混合好，再由气体供给装置通入至反应腔。但因不同的反应气体对应的反应温度不同，如有些反应气体可以在常温下会发生预反应，由此，反应气体会在反应腔外的气体管路中产生预反应，生产反应副产物(例如：颗粒物particle)，导致对后续的制膜工艺产生不利影响。
3、为了能够实现对反应腔内进行分区供气，在现有技术中需采用多组管路导入至气体供给装置中的不同区域的方式实现，但是此方案会存在管路结构复杂的问题。另外，现有的气体供给装置或结构还存在反应气体利用率不高，生成的薄膜存在均匀性差的问题。
4、由此亟需一种既能简化供气管路实现对反应腔内进行分...
【技术保护点】
1.一种气体供给装置，其用于向成膜装置的反应腔内通入多种反应气体，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的气体供给装置，其特征在于，所述第一中心进气通道和所述第一边缘进气通道，分别贯穿所述进气顶盖的顶部与外部对应的所述反应气体的气源连通。
3.如权利要求2所述的气体供给装置，其特征在于，所述第二中心进气通道和所述第二边缘进气通道分别贯穿所述进气顶盖的侧壁与外部对应的所述反应气体的气源连通。
4.如权利要求3所述的气体供给装置，其特征在于，所述第三边缘进气通道分别贯穿所述进气顶盖与外部对应的所述吹扫气体的气源连通。
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【技术特征摘要】
1.一种气体供给装置，其用于向成膜装置的反应腔内通入多种反应气体，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的气体供给装置，其特征在于，所述第一中心进气通道和所述第一边缘进气通道，分别贯穿所述进气顶盖的顶部与外部对应的所述反应气体的气源连通。
3.如权利要求2所述的气体供给装置，其特征在于，所述第二中心进气通道和所述第二边缘进气通道分别贯穿所述进气顶盖的侧壁与外部对应的所述反应气体的气源连通。
4.如权利要求3所述的气体供给装置，其特征在于，所述第三边缘进气通道分别贯穿所述进气顶盖与外部对应的所述吹扫气体的气源连通。
5.如权利要求4所述的气体供给装置，其特征在于，所述气体分隔板上设有第一中心出气孔和第一边缘出气孔。
6.如权利要求5所述的气体供给装置，其特征在于，还包括：第一匀气板，其设置在所述上部容置空间内，且与所述气体分隔板平行设置，用于调整所述上部容置空间内的反应气体和吹扫气体的气流分布。
7.如权利要求6所述的气体供给装置，其特征在于，所述第一分区环组包括：第一分区环和第二分区环，所述第一分区环设置在所述第一匀气板和所述进气顶盖之间；
8.如权利要求7所述的气体供给装置，其特征在于，所述第一匀气板上间隔分布有若干个第一匀气孔。
9.如权利要求8所述的气体供给装置，其特征在于，第二匀气板，其设置在所述下部容置空间内，且与所述气体分隔板平行设置，用于调整所述下部容置空间内的反应气体和吹扫气体的气流分布。
10.如权利要求9所述的气体供给装置，其特征在于，所述第二分区环组包括：第三分区环和第四分区环，所述第三分区环设置在所述第二匀气板和所述气体分隔板之间；
11.如权利要求9所述的气体供给装置，其特征在于，所述第二匀气板上间隔分布有若干个第二匀气孔；
12.如权利要求11所述的气体供给装置，其特征在于，所述水冷板包括若干个第三中心出气孔，若干个第三边缘出气孔和若干个第四边缘出气孔；
13.如权利要求12所述的气体供给装置，其特征在于，所述水冷板内部中空，并通入有冷却介质，用于对其附近的所述反应气体和吹扫气体进行冷却。
14.如权利要求13所述的气体供给装置，其特征在于，还包括：若干个第一导气管，每一...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑振宇，陈丹莹，
申请(专利权)人：中微半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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