【技术实现步骤摘要】
本技术涉及氢化硅薄膜制作技术，尤其涉及一种氢化硅薄膜的制备系统。
技术介绍
1、传统的红外带通滤光膜是一种利用精密光学镀膜技术在光学基片上交替镀上高低折射率的光学膜，利用光相关原理实现对可近红外区的高透射和对见光区的截止功能。随着光通讯系统及红外成像系统的发展，传统的基于光相关原理的红外带通滤光膜已经无法满足性能需求。
2、单质硅薄膜因具有高折射率，对可见光区的高吸收，对近红外区的高透过特点，有望成为新型的红外带通滤光膜。但是，单质硅薄膜对近红外区的某些波段仍具有较大的吸收，其性能仍需进一步改善。
技术实现思路
1、为了解决上述现有技术的不足，本技术提供一种氢化硅薄膜的制备系统，可用于制备氢化硅薄膜。
2、本技术所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：
3、一种氢化硅薄膜的制备系统，包括：
4、真空镀膜腔室，用于提供真空镀膜环境；
5、旋转装置，用于带动镀膜衬底进行旋转，设置于所述真空镀膜腔室内；
6、氩气装置，用...
【技术保护点】
1.一种氢化硅薄膜的制备系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备系统，其特征在于，所述氩气装置和电离装置之间连通有第一流量控制器。
3.根据权利要求1所述的制备系统，其特征在于，所述氢气装置和电离装置之间连通有第二流量控制器。
4.根据权利要求1所述的制备系统，其特征在于，所述电离装置的喷射口上设有第三流量控制器。
5.根据权利要求1所述的制备系统，其特征在于，所述氩气装置包括氩气瓶。
6.根据权利要求1所述的制备系统，其特征在于，所述氢气装置包括氢气发生器。
7.根据权利要求1所述...
【技术特征摘要】
1.一种氢化硅薄膜的制备系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备系统，其特征在于，所述氩气装置和电离装置之间连通有第一流量控制器。
3.根据权利要求1所述的制备系统，其特征在于，所述氢气装置和电离装置之间连通有第二流量控制器。
4.根据权利要求1所述的制备系统，其特征在于，所述电离装置的喷射口上设有第三流量控制器。
5.根据权利要求1所述的制备系统，其特征在于，所述氩气装置包括氩气瓶。
6.根据权利要求1所述的制备系统，其特征在于，所述氢气装置包括氢气发生器...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯毅，
申请(专利权)人：信利光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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