【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件领域，尤其是涉及一种高导热、高取光效率的大功率正装 LED芯片结构。
技术介绍
目前，蓝光、绿光等发光二极管(LED)的基本结构是在蓝宝石衬底上外延生长 InGaN/GaN发光半导体材料，然后在外延层的上表面制作正/负电极用于注入电流使之将 电能转换成光能。如图-1所示，其是典型的蓝光LED芯片的剖面结构示意图，该芯片主要 由三部分组成，蓝宝石衬底11，外延层12，以及欧姆电极13 (包含ρ、η两个电极)，正极欧 姆电极是制作在P型GaN层上。为了改善电流注入的均勻性，通常需要在ρ型GaN层上先 沉积一层透明导电接触层，负极欧姆电极是制作在η型GaN层上，这需要将部分ρ型GaN层 刻蚀去除。这种将两个电极制作在同一侧的器件结构是因为蓝宝石衬底不导电，但是这种 结构同时也局限了芯片表面发光区的面积，降低了芯片的发光效率。此外，蓝宝石衬底的低 导热性使之作为芯片与外界的散热通道限制了芯片在大电流下的可靠性能，这是因为蓝宝 石衬底的导热系数只有0. 4W/K. cm。散热问题也成为阻碍大功率LED芯片发展的主要问题 之一，因为量子阱的发光效率会...
【技术保护点】
一种大功率正装ＬＥＤ芯片结构，包括透明钝化层、Ｐ压焊点、透明电极层、Ｎ电极、ＬＥＤ外延层、蓝宝石衬底、反射及焊料层，其特征在于：所述的反射及焊料层表面上通过光学镀膜的方式形成有ＤＢＲ光学反射层，所述的反射及焊料层底部设置有一高导热基座层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴大可，朱国雄，张坤，
申请(专利权)人：深圳世纪晶源华芯有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]
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