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本发明涉及一种大功率正装ＬＥＤ芯片结构，包括透明钝化层、Ｐ压焊点、透明电极层、Ｎ电极、ＬＥＤ外延层、蓝宝石衬底、反射及焊料层，其中：所述的反射及焊料层表面上通过光学镀膜的方式形成有ＤＢＲ光学反射层，所述的反射及焊料层底部设置有一高导热基座层...
该专利属于深圳世纪晶源华芯有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳世纪晶源华芯有限公司授权不得商用。

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