坩埚及其制备方法技术

本申请提供了一种坩埚及其制备方法，涉及坩埚制备技术领域，其中坩埚包括碳碳陶瓷基底和复合涂层；复合涂层包括依次层叠的碳化硅层、缓冲层、子复合层和氮化硅层；子复合层包括氮化硅和二氧化硅。坩埚的制备方法，包括：制备碳碳陶瓷基底；采用化学气相沉积法在碳碳陶瓷基底内表面沉积碳化硅层；在碳化硅层的一侧制备缓冲层；在缓冲层的一侧制备子复合层；采用化学气相沉积法在子复合层的一侧沉积氮化硅层。本申请设置复合涂层，复合涂层化学性能稳定、导热系数高、耐磨性能较好，防渗透能力好，同时复合涂层的结合力较高，复合涂层有利于提高坩埚的强度、耐磨性能和防渗透能力，使坩埚能够作为直接盛放硅溶液的容器代替石英坩埚。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及坩埚制备，更具体地，涉及一种坩埚及其制备方法。

技术介绍

1、相关技术中，在直拉法生产单晶硅的过程中，高纯多晶硅块和微量的掺杂剂放置在石英坩埚中，石英坩埚再置于石墨坩埚内，在高温下进行多晶硅的熔化。但是随着硅料的熔化，石英坩埚会软化，机械强度变得很低，需要靠石墨坩埚在外面起支撑作用。石墨坩埚的优点是在高温下机械强度高，能够对石英坩埚起支撑作用，但是无法直接盛放硅溶液。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术提供了一种坩埚及其制备方法，用以盛装硅溶液，代替现有的石英坩埚。

2、第一方面，本申请提供一种坩埚，包括碳碳陶瓷基底和复合涂层，所述复合涂层位于所述碳碳陶瓷基底的内表面；

3、所述复合涂层包括碳化硅层、缓冲层、子复合层和氮化硅层，所述碳化硅层位于所述碳碳陶瓷基底的内表面，所述子复合层位于所述碳化硅层背离所述碳碳陶瓷基底的一侧，所述缓冲层位于所述碳化硅层和所述子复合层之间，所述氮化硅层位于所述子复合层背离所述碳碳陶瓷基底的一侧；

4、所述子复合层包括氮化硅和二本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种坩埚，其特征在于，包括碳碳陶瓷基底和复合涂层，所述复合涂层位于所述碳碳陶瓷基底的内表面；

2.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述缓冲层包括硅涂层和氮化硅膜，所述碳碳陶瓷基底的密度大于1.9g/cm3。

3.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述缓冲层包括键合氮化硅涂层，所述碳碳陶瓷基底的密度大于1.75g/cm3。

4.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于，还包括石英夹层和支撑件，所述支撑件位于所述碳碳陶瓷基底背离所述复合涂层的一侧，所述支撑件的内壁与所述碳碳陶瓷基底的外壁形状相同，所述石英夹层位于所述碳碳陶瓷基底和所述支撑件之间。...

【技术特征摘要】

1.一种坩埚，其特征在于，包括碳碳陶瓷基底和复合涂层，所述复合涂层位于所述碳碳陶瓷基底的内表面；

2.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述缓冲层包括硅涂层和氮化硅膜，所述碳碳陶瓷基底的密度大于1.9g/cm3。

3.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述缓冲层包括键合氮化硅涂层，所述碳碳陶瓷基底的密度大于1.75g/cm3。

4.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于，还包括石英夹层和支撑件，所述支撑件位于所述碳碳陶瓷基底背离所述复合涂层的一侧，所述支撑件的内壁与所述碳碳陶瓷基底的外壁形状相同，所述石英夹层位于所述碳碳陶瓷基底和所述支撑件之间。

5.根据权利要求4所述的坩埚，其特征在于，所述支...

【专利技术属性】
技术研发人员：李好，宋丽平，龙昭钦，陈铭，
申请(专利权)人：晶科能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：