GaN外延基板制造技术

本发明专利技术涉及GaN外延基板，其包含GaN基板、和在上述GaN基板上外延生长而成的GaN缓冲层，上述GaN外延基板包含存在于上述GaN基板中或上述GaN缓冲层中的点A、和存在于上述GaN缓冲层中且Fe浓度为上述点A的Fe浓度的1/100的点B，上述点A与上述点B的距离为0.2μm以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及gan外延基板。

技术介绍

1、近年来，作为用于数十ghz至数百ghz的高频的器件用途，正在积极地进行gan系高电子迁移率晶体管(hemt)(以下，有时称为“gan-hemt”)的开发。作为用于gan-hemt的基板，对硅、碳化硅(sic)、gan等进行了研究，与使用了其它基板的情况相比，使用了gan基板的gan-hemt可期待优异的性能。gan-hemt虽然以高频反复进行电流的on/off，但是，理想的是要求在off状态时电流完全不流通。因此，在gan-hemt中使用gan基板的情况下，优选gan基板的半绝缘化。

2、作为使gan基板半绝缘的方法，已知有掺杂过渡金属元素及第12族元素的方法。过渡金属元素及第12族元素作为受主(acceptor)发挥作用，因此，具有补偿无意地导入至gan基板中的背景施主(background donor)、降低gan基板内的载流子浓度的效果。将这样的过渡金属元素及第12族元素称为补偿杂质。

3、例如，在非专利文献1所记载的专利技术中，得到了掺杂有fe、mn作为补偿杂质的gan基板。另外本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种GaN外延基板，其包含GaN基板、和在所述GaN基板上外延生长而成的GaN缓冲层，

2.一种GaN外延基板，其包含GaN基板、和在所述GaN基板上外延生长而成的GaN缓冲层，

3.一种GaN外延基板，其包含GaN基板、和在所述GaN基板上外延生长而成的GaN缓冲层，

4.一种GaN外延基板，其包含GaN基板、和在所述GaN基板上外延生长而成的GaN缓冲层，

5.根据权利要求1或2所述的GaN外延基板，其中，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的GaN外延基板，其中，

7.根据权利要求1～6中任一项所述的GaN...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种gan外延基板，其包含gan基板、和在所述gan基板上外延生长而成的gan缓冲层，

2.一种gan外延基板，其包含gan基板、和在所述gan基板上外延生长而成的gan缓冲层，

3.一种gan外延基板，其包含gan基板、和在所述gan基板上外延生长而成的gan缓冲层，

4.一种gan外延基板，其包含gan基板、和在所述gan基板上外延生长而成的gan缓冲层，

5.根据权利要求1或2所述的gan外延基板，其中，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的gan外延基板，其中，

7.根据权利要求1～6中任一项所述的gan外延基板，其中，

8.根据权利要求1～7中任一项所述的gan外延基板，其中，

9.根据权利要求1～8中任一项所述的gan外延基板，其中，

10.根据权利要求7～9中任一项所述的gan外延基板，其中，

11.根据权利要求1～1...

【专利技术属性】
技术研发人员：矶宪司，德满洋司，
申请(专利权)人：三菱化学株式会社，
类型：发明
国别省市：