【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体生产,具体涉及一种重掺磷晶棒成长过程中的磷收集装置。
技术介绍
1、在成长n型掺杂红磷晶棒的工艺中,由于红磷化学性质比较活泼,易燃易爆,而且长晶机内晶棒成长温度较高,达到1300℃左右,在此高温下红磷极易氧化燃烧,晶棒成长时间也比较长(3-4天/1run),红磷氧化物产生量也比较多,易于聚集,不但造成晶棒成长阻值偏差大、不宜成晶,而且具有较大的安全隐患。
技术实现思路
1、本技术的目的就在于为解决现有技术的不足而提供一种重掺磷晶棒成长过程中的磷收集装置。
2、本技术的目的是以下述技术方案实现的:
3、一种重掺磷晶棒成长过程中的磷收集装置,包括大气喷射器、液环真空泵和冲洗装置;
4、所述大气喷射器包括工作气体进口、抽气口、出气口和冲洗进口;所述抽气口用于与长晶机的出气口连接,所述大气喷射器的出气口与所述液环真空泵的进气口连接;
5、所述冲洗装置的出口端与所述大气喷射器的冲洗进口连接,用于冲洗所述大气喷射器内部。
6、
...【技术保护点】
1.一种重掺磷晶棒成长过程中的磷收集装置,其特征在于,包括大气喷射器、液环真空泵和冲洗装置;
2.如权利要求1所述的重掺磷晶棒成长过程中的磷收集装置,其特征在于,
3.如权利要求1所述的重掺磷晶棒成长过程中的磷收集装置,其特征在于,
4.如权利要求1所述的重掺磷晶棒成长过程中的磷收集装置,其特征在于,
5.如权利要求4所述的重掺磷晶棒成长过程中的磷收集装置,其特征在于,
6.如权利要求5所述的重掺磷晶棒成长过程中的磷收集装置,其特征在于,
7.如权利要求5所述的重掺磷晶棒成长过程中的磷收集装置,其特征在于,
【技术特征摘要】
1.一种重掺磷晶棒成长过程中的磷收集装置,其特征在于,包括大气喷射器、液环真空泵和冲洗装置;
2.如权利要求1所述的重掺磷晶棒成长过程中的磷收集装置,其特征在于,
3.如权利要求1所述的重掺磷晶棒成长过程中的磷收集装置,其特征在于,
4.如权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴泓明,钟佑生,陈志刚,王俊仁,万军召,
申请(专利权)人:郑州合晶硅材料有限公司,
类型:新型
国别省市:
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