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本发明涉及GaN外延基板，其包含GaN基板、和在上述GaN基板上外延生长而成的GaN缓冲层，上述GaN外延基板包含存在于上述GaN基板中或上述GaN缓冲层中的点A、和存在于上述GaN缓冲层中且Fe浓度为上述点A的Fe浓度的1/100的点B，...
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