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本申请提供了一种坩埚及其制备方法，涉及坩埚制备技术领域，其中坩埚包括碳碳陶瓷基底和复合涂层；复合涂层包括依次层叠的碳化硅层、缓冲层、子复合层和氮化硅层；子复合层包括氮化硅和二氧化硅。坩埚的制备方法，包括：制备碳碳陶瓷基底；采用化学气相沉积法...
该专利属于晶科能源股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶科能源股份有限公司授权不得商用。

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