【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及光伏领域，特别涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。
技术介绍
1、目前，随着化石能源的逐渐耗尽，太阳电池作为新的能源替代方案，使用越来越广泛。太阳电池是将太阳的光能转换为电能的装置。太阳电池利用光生伏特原理产生载流子，然后使用电极将载流子引出，从而利于将电能有效利用。
2、目前的太阳能电池主要包括ibc电池(交叉背电极接触电池，interdigitatedback contact)、topcon(tunnel oxide passivated contact，隧穿氧化层钝化接触)电池、perc电池(钝化发射极和背面电池，passivated emitter and real cell)以及异质结电池等。通过不同的膜层设置以及功能性限定减少光学损失以及降低硅基底表面及体内的光生载流子复合以提升太阳能电池的光电转换效率。
3、然而，在制备太阳能电池过程中，由于不同区域的膜层设置不同以及配合关系，需要多次掩膜以及刻蚀从而获得较为准确的结构，导致整个太阳能电池的制备方法较为繁琐，进而限制太阳能电池的...
【技术保护点】
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，未经过湿法刻蚀工艺的第一半导体膜远离所述基底的表面具有第一粗糙度，位于所述非电极区的所述第一掺杂导电层远离所述基底的表面具有第二粗糙度，所述第一粗糙度大于所述第二粗糙度。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在进行湿法刻蚀工艺之后还包括：对所述第一掺杂导电层的表面、所述第二隧穿介质层的侧面以及第二掺杂导电层的侧面进行修复处理。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述修复处理包括RC
...【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，未经过湿法刻蚀工艺的第一半导体膜远离所述基底的表面具有第一粗糙度，位于所述非电极区的所述第一掺杂导电层远离所述基底的表面具有第二粗糙度，所述第一粗糙度大于所述第二粗糙度。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在进行湿法刻蚀工艺之后还包括：对所述第一掺杂导电层的表面、所述第二隧穿介质层的侧面以及第二掺杂导电层的侧面进行修复处理。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述修复处理包括rca清洗处理。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述刻蚀液包括第一刻蚀液以及第二刻蚀液，所述第一刻蚀液用于氧化部分厚度的所述第一半导体膜以形成所述氧化层，所述第二刻蚀液用于去除所述氧化层，所述第二刻蚀液为碱溶液。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述碱溶液的浓度为0.8％～2％。
7.根据权利要求5所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第二刻蚀液包括双氧水。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺还包括：提供反应气体，部分厚度的所述第一半导体膜还被所述反应气体氧化以形成所述氧化层。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述氧化气体包括氧气、臭氧以及氯气。
10.根据权利要求5所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，采用所述湿法刻蚀工艺去除所述电极区的所述初始介质层与刻蚀去除所述非电极区的部分厚度的所述第一半导体膜；所述刻蚀液还包括第...
【专利技术属性】
技术研发人员：于琨，刘长明，张昕宇，王晓凡，祝亮亮，王健达，
申请(专利权)人：晶科能源海宁有限公司，
类型：发明
国别省市：
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