一种能够替代PMOS管的开关芯片制造技术

本发明专利技术提供了一种能够替代PMOS管的开关芯片，包括输入引脚、输出引脚、控制引脚分别能够等效替代PMOS管的源极、漏极、栅极，芯片内控制电路包括NMOS管、芯片内GND脚、浮空地检测模块、电荷泵和电荷泄放模块，NMOS管的漏极、源极分别与输入引脚、输出引脚相连，NMOS管的栅极与电荷泄放模块的输出端、电荷泵的输出端相连，浮空地检测模块与电荷泄放模块、电荷泵控制连接，控制引脚的一端与浮空地检测模块的输入端、芯片内GND脚相连，另一端与外界单片机的GPIO引脚相连。本发明专利技术的有益效果为：能够实现替代PMOS管作为开关芯片，成本低，导通阻抗好，对比传统PMOS管拥有电流检测，电压钳位等智能化功能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电路，具体涉及一种能够替代pmos管的开关芯片。

技术介绍

1、mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。mos管的源极（source）和漏极（drain）是可以对调的，他们都是在p型backgate中形成的n型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。mos晶体管有p型mos管和n型mos管之分。由mos管构成的集成电路称为mos集成电路，由nmos组成的电路就是nmos集成电路，由pmos管组成的电路就是pmos集成电路，由nmos和pmos两种管子组成的互补mos电路，即cmos电路。pmos管是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的mos管。nmos英文全称为n-metal-oxide-semiconductor。意思为n型金属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为nmos晶体管。

2、pmos分立器件作为许多系统中的关键开关功能模块，由于其本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种能够替代PMOS管的开关芯片，其特征在于：包括芯片内控制电路和芯片外引脚，所述芯片外引脚包括输入引脚、输出引脚和控制引脚，所述输入引脚能够等效替代PMOS管的源极，所述输出引脚能够等效替代PMOS管的漏极，所述控制引脚能够等效替代PMOS管的栅极，所述芯片内控制电路包括NMOS管、芯片内GND脚、浮空地检测模块、电荷泵和电荷泄放模块，所述NMOS管的漏极与所述输入引脚相连，所述NMOS管的源极与所述输出引脚相连，所述NMOS管的栅极与所述电荷泄放模块的输出端、所述电荷泵的输出端相连，所述浮空地检测模块与所述电荷泄放模块、所述电荷泵控制连接，所述控制引脚的一端与所述浮空地检测模块的...

【技术特征摘要】

1.一种能够替代pmos管的开关芯片，其特征在于：包括芯片内控制电路和芯片外引脚，所述芯片外引脚包括输入引脚、输出引脚和控制引脚，所述输入引脚能够等效替代pmos管的源极，所述输出引脚能够等效替代pmos管的漏极，所述控制引脚能够等效替代pmos管的栅极，所述芯片内控制电路包括nmos管、芯片内gnd脚、浮空地检测模块、电荷泵和电荷泄放模块，所述nmos管的漏极与所述输入引脚相连，所述nmos管的源极与所述输出引脚相连，所述nmos管的栅极与所述电荷泄放模块的输出端、所述电荷泵的输出端相连，所述浮空地检测模块与所述电荷泄放模块、所述电荷泵控制连接，所述控制引脚的一端与所述浮空地检测模块的输入端、芯片内gnd脚相连，所述控制引脚的另一端能够与外界单片机的gpio引脚相连，所述浮空地检测模块能够检测所述外界单片机的gpio引脚输入所述控制引脚的控制信号并通过所述nmos管的栅极控制所述输入引脚和所述输出引脚之间的开关通断。

2.根据权利要求1所述的能够替代pmos管的开关芯片，其特征在于：当所述控制引脚接收到所述外界单片机的gpio引脚输入的高电平信号时，所述芯片内gnd脚浮空或为高电平，所述浮空地检测模块控制所述电荷泄放模块瞬态工作，快速泄放电荷使得所述nmos管关闭，所述nmos管的栅极为低电平，所述输入引脚和所述输出引脚之间的开关断开；当所述控制引脚接收到所述外界单片机的gpio引脚输入的接地信号时，所述芯片内gnd脚接地，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨少军，刘毅，
申请(专利权)人：深圳市晶扬电子有限公司，
类型：发明
国别省市：