一种组合式高场非对称波形离子迁移管制造技术

本发明专利技术公开了一种组合式高场非对称波形离子迁移管，包括离子源和法拉第盘，在离子源的一端设置有气体入口，另一端设置有二个或二个以上的地电极套筒，在地电极套筒中部的轴线位置处设置有高压非对称场电极，且至少一个地电极套筒内部的高压非对称场电极为正高压非对称场电极、至少一个地电极套筒内部的高压非对称场电极为负高压非对称场电极；在地电极套筒上设置有气体出口，气体出口和气体入口分别位于地电极套筒的左右二侧，在气体出口处设置有法拉第盘。本发明专利技术可以同时提供正、负离子两个系列的检测通道，实现双极性检测通道的集成化应用，提高高场非对称波形离子迁移谱的检测范围和准确性，同时缩短检测时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及离子迁移谱，具体地说是一种新型组合式高场非对称波形离子迁移管设计制作技术，该组合式高场非对称波形离子迁移管的检测通道采用结构上的一体化设 计，具有一体化的气体入口、离子源、迁移区、高压非对称场电极、法拉第盘、气体出口等，实 现了不同极性离子同时检测，提高了仪器检测的应用范围，并縮短了检测时间，尤其对于未 知样品或亲电子性与亲质子性混合体系的检测。
技术介绍
高场非对称波形离子迁移谱是基于传统离子迁移谱技术不断发展起来的一门物 质分析检测技术，首次公开报道是在1993年，由前苏联Buryakov等提出。它是基于离子在 高场(E/N > 40Td， 1Td = 10—17 Vcm2)、低场(E/N < 2Td)中离子迁移率变化来实现不同物 质的检测。离子的迁移率可以表示为 K = K0(l+a) 其中，K为高场下离子的迁移率，K。为低场下离子的迁移率，为高场下离子迁移率 相对于低场下的变化率，其值可正可负，因物质而异。低场下a =0。 非对称场离子迁移谱的原理如下以载气使物质离子垂直于电场方向通过漂移 区，漂移区施加以射频正负切换的非对称场，整个射频周期内，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种组合式高场非对称波形离子迁移管，包括离子源（１）和法拉第盘（６），其特征在于：在离子源（１）的一端设置有气体入口（３），另一端设置有二个或二个以上的地电极套筒（２），在地电极套筒（２）中部的轴线位置处设置有高压非对称场电极，且至少一个地电极套筒（２）内部的高压非对称场电极为正高压非对称场电极（４）、至少一个地电极套筒（２）内部的高压非对称场电极为负高压非对称场电极（５）；在地电极套筒（２）上设置有气体出口（８），气体出口（８）和气体入口（３）分别位于地电极套筒（２）的左右二侧，在气体出口（８）处设置有法拉第盘（６）。

【技术特征摘要】
一种组合式高场非对称波形离子迁移管，包括离子源(1)和法拉第盘(6)，其特征在于在离子源(1)的一端设置有气体入口(3)，另一端设置有二个或二个以上的地电极套筒(2)，在地电极套筒(2)中部的轴线位置处设置有高压非对称场电极，且至少一个地电极套筒(2)内部的高压非对称场电极为正高压非对称场电极(4)、至少一个地电极套筒(2)内部的高压非对称场电极为负高压非对称场电极(5)；在地电极套筒(2)上设置有气体出口(8)，气体出口(8)和气体入口(3...

【专利技术属性】
技术研发人员：李海洋，王卫国，杜永斋，董璨，
申请(专利权)人：中国科学院大连化学物理研究所，
类型：发明
国别省市：91[中国|大连]