全差分推挽结构运算放大器制造技术

本技术涉及一种全差分推挽结构运算放大器。该全差分推挽结构运算放大器包括：带共模反馈电路的差分输入级和带共模反馈电路的差分输出级，其中，带共模反馈电路的差分输入级为带增益自举的跨导增强AB类放大结构；带共模反馈电路的差分输出级为跨导增强推挽结构。其优点在于在不额外消耗电流的前提下提升了运算放大器的增益，具有更高的功耗效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子系统技术应用领域，尤其涉及一种全差分推挽结构运算放大器。

技术介绍

1、运算放大器在电子系统中扮演着放大和模拟信号处理的角色，其能够将微弱信号放大至足够的幅度，以送至后端adc进行处理；还可以对信号执行各种数学运算，以对信号实现混合、积分、微分和滤波等处理。因此，为适应电子系统需要高保真处理高频率、高带宽、宽摆幅信号的实际应用场景，运算放大器也需要具备高增益、高带宽、宽输入输出摆幅等优良性能。

2、近年来随着半导体的工艺节点的不断推进，mos管特征频率的不断提高也为在尽可能低的功耗要求下实现高带宽的运算放大器带来可能。但在先进工艺制程下进行运算放大器的设计往往还会面临器件具有较高的闪烁噪声以及较低本征增益的问题。

3、在相关技术中往往会通过引入辅助放大器或增加功耗的电路设计实现在具体业务应用中的放大器应用。

4、目前针对相关技术中缺少有效的电路设计，导致无法有效提升运算放大器的增益的技术问题，尚未提出有效的解决方案。

技术实现思路

1、本技术的目的是针对现有技本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种全差分推挽结构运算放大器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的全差分推挽结构运算放大器，其特征在于，所述第一跨导增强结构包括：Mp5和Mp6，所述第二跨导增强结构包括：Mn5和Mn6，其中，

3.根据权利要求2所述的全差分推挽结构运算放大器，其特征在于，所述Mn5和所述Mn6的漏极与所述Mn1和所述Mn2的源极连接；所述Mn5和所述Mn6的源极与所述第一晶体管组中的Mn7的漏极连接。

4.根据权利要求2所述的全差分推挽结构运算放大器，其特征在于，所述第一晶体管组还包括：Mp3、Mp4、Mn3、Mn4，其中，

<p>5.根据权利要求...

【技术特征摘要】

1.一种全差分推挽结构运算放大器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的全差分推挽结构运算放大器，其特征在于，所述第一跨导增强结构包括：mp5和mp6，所述第二跨导增强结构包括：mn5和mn6，其中，

3.根据权利要求2所述的全差分推挽结构运算放大器，其特征在于，所述mn5和所述mn6的漏极与所述mn1和所述mn2的源极连接；所述mn5和所述mn6的源极与所述第一晶体管组中的mn7的漏极连接。

4.根据权利要求2所述的全差分推挽结构运算放大器，其特征在于，所述第一晶体管组还包括：mp3、mp4、mn3、mn4，其中，

5.根据权利要求4所述的全差分推挽结构运算放大器，其特征在于，所述第一共模反馈电路包括：r1、r2和a3，其中，

6.根据权利要求5所述的全差分推挽结构运算放大器，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的全差分推挽结...

【专利技术属性】
技术研发人员：白龙，李峰，许小蕾，
申请(专利权)人：杭州越芯微电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：