背接触异质结太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，具体而言，涉及背接触异质结太阳能电池及其制备方法，该制备方法包括：在电池前驱体的背面吸附带有栅线图案槽的掩膜，并在电池前驱体的背面沉积金属种子层，去掉掩膜；在电池前驱体的背面的金属种子层之外的位置填充第一油墨层，第一固化后露出栅线状的金属种子层；在金属种子层第一电镀，形成线状的第一电极栅线；在电池前驱体的背面除第一电极栅线的主栅之外的位置填充第二油墨层，第二固化后露出主栅；在主栅第二电镀或印刷，形成桥墩状的第二电极栅线；在第二电极栅线第三电镀形成锡覆盖层；退除第二油墨层和第一油墨层，并清洗、干燥。该方法能够降低正负极短路的概率，提升产品的良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体而言，涉及背接触异质结太阳能电池及其制备方法。

技术介绍

1、太阳能电池，是一种利用太阳光发电的光电半导体，又称为“太阳能芯片”或“光电池”。

2、相关技术提供的背接触异质结太阳电池的制备方法包括：使硅片经过背接触异质结太阳电池制程，形成待制作栅线的电池前驱体；然后在电池前驱体印刷银浆细栅，形成交替分布的正极细栅和负极细栅；之后在正负极细栅上间隔式印上绝缘油墨，再印刷银浆主栅。

3、在太阳能电池串焊时，由于需要使用焊带分别串焊正极栅线和负极栅线，而正极栅线和负极栅线又是依次交替分布的，故需要在焊带下方的另一极性的电极栅线印上绝缘油墨；但是，在串焊时，焊带（即镀锡铜带）表面的锡也会熔化，熔化的锡冷却凝固时极易刺穿绝缘油墨，导致正负极短路。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供背接触异质结太阳能电池及其制备方法，该制备方法能够降低正负极短路的概率，提升产品的良率。

2、本专利技术是这样实现的：

3、第一方面，本专利技术提供一种背接触异本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种背接触异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的背接触异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述金属种子层的沉积厚度为10-1000nm，所述金属种子层的材料包括银、铜、镍和铝中的至少一者，所述掩膜的厚度为0.02-1mm，所述掩膜的栅线图案槽的槽宽为0.02-0.5mm；

3.根据权利要求2所述的背接触异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述金属种子层的材料为银；所述第一电极栅线和所述第二电极栅线的材料为铜。

4.根据权利要求1所述的背接触异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，填充形成的所述第一油墨层具有...

【技术特征摘要】

1.一种背接触异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的背接触异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述金属种子层的沉积厚度为10-1000nm，所述金属种子层的材料包括银、铜、镍和铝中的至少一者，所述掩膜的厚度为0.02-1mm，所述掩膜的栅线图案槽的槽宽为0.02-0.5mm；

3.根据权利要求2所述的背接触异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述金属种子层的材料为银；所述第一电极栅线和所述第二电极栅线的材料为铜。

4.根据权利要求1所述的背接触异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，填充形成的所述第一油墨层具有直线线槽，且所述直线线槽的宽度为0.02-0.5mm，所述第一油墨层的厚度为0.01-1mm；

5.根据权利要求1所述的背接触异质结太阳能...

【专利技术属性】
技术研发人员：何广东，黄家容，闫松鹤，胡杏梅，
申请(专利权)人：福建金石能源有限公司，
类型：发明
国别省市：