一种多功能电路制造技术

本申请实施例提供的一种多功能电路，防反接倒灌电路包括第一NMOS晶体管并联电路、高压二极管控制器和开关二极管；开机限流电路包括积分电路、第一电容和第二NMOS晶体管并联电路；高压二极管控制器的输入端通过第一NMOS晶体管并联电路与正输入端连接，高压二极管控制器的输出端分别与积分电路的输入端和第一电容的一端连接；高压二极管控制器通过开关二极管与负输入端连接；积分电路的输出端与第二NMOS晶体管并联电路的控制端连接；第二NMOS晶体管并联电路的第一输入端与第一电容的另一端连接。解决了当适配器发生掉电或拔掉电源时，会产生逆向电流，经常会出现倒灌现象，导致电源或其他器件损坏的问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及电路设计，尤其涉及一种多功能电路。

技术介绍

1、当适配器发生掉电或拔掉电源时，会产生逆向电流，以及开关电源切断时，经常会出现倒灌现象，导致电源或其他器件损坏。

2、目前的电路对设备进行供电时，如遇到上述情况，电路会断电，设备会停止运行。医疗设备往往需要精密的电路设计和稳定的电路性能，以确保设备的准确性和安全性。例如，如果一台医疗设备的电路出现故障，可能会导致设备无法正常工作，甚至危及患者的生命安全。在工业生产中，电路的稳定性对于生产过程的顺利进行和工厂的安全至关重要。例如，如果一条生产线上的电路出现故障，可能会导致整个生产线停滞，影响产品的生产和交付。

3、因此，需要一种能够保护电路不受损坏，从而保证设备的正常运行的多功能电路。

技术实现思路

1、本申请提供了一种多功能电路，解决了当适配器发生掉电或拔掉电源时，会产生逆向电流，以及开关电源切断时，经常会出现倒灌现象，导致电源或其他器件损坏的问题。

2、本申请提供了一种多功能电路，包括防反接倒灌电路和开机限流电路；所述防反接倒灌电路包括第一nmos晶体管并联电路、高压二极管控制器和开关二极管；所述开机限流电路包括积分电路、第一电容和第二nmos晶体管并联电路；所述高压二极管控制器的输入端通过所述第一nmos晶体管并联电路与正输入端连接，所述高压二极管控制器的输出端分别与所述积分电路的输入端和所述第一电容的一端连接；所述高压二极管控制器通过所述开关二极管与负输入端连接；所述积分电路的输出端与所述第二nmos晶体管并联电路的控制端连接；所述第二nmos晶体管并联电路的第一输入端与所述第一电容的另一端连接。

3、在一种可能的实现方式中，所述第一nmos晶体管并联电路包括至少四个第一nmos晶体管；至少四个所述第一nmos晶体管之间并联；至少四个所述第一nmos晶体管的源极一端均相互连接，被配置为与所述正输入端连接的所述第一nmos晶体管并联电路的输入端；至少四个所述第一nmos晶体管的漏极一端均相互连接，被配置为与所述积分电路输入端连接的所述第一nmos晶体管并联电路的输出端；至少四个所述第一nmos晶体管的栅极相互连接并与所述高压二极管控制器的控制端连接。

4、在一种可能的实现方式中，所述积分电路包括第二电容和第三电阻；所述第二电容与所述第三电阻并联。

5、在一种可能的实现方式中，还包括稳压二极管；所述稳压二极管与所述第二电容和第三电阻并联。

6、在一种可能的实现方式中，所述第二nmos晶体管并联电路包括第四电阻和至少四个第二nmos晶体管；所述第四电阻和至少四个所述第二nmos晶体管之间并联；至少四个所述第二nmos晶体管的源极一端均相互连接，被配置为与所述负输入端连接的所述第二nmos晶体管并联电路的输出端；至少四个所述第二nmos晶体管的漏极一端均相互连接，被配置与所述第一电容连接的所述第二nmos晶体管并联电路的输入端；至少四个所述第二nmos晶体管的栅极相互连接并与所述积分电路连接。

7、在一种可能的实现方式中，还包括第一电阻和第二电阻；所述第一电阻和第二电阻并联于所述第一nmos晶体管并联电路与所述积分电路之间。

8、本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：

9、本申请实施例提供的一种多路输入主从供电选通电路，包括防反接倒灌电路和开机限流电路，防反接倒灌电路包括第一nmos晶体管并联电路、高压二极管控制器和开关二极管，开机限流电路包括积分电路、第一电容和第二nmos晶体管并联电路，高压二极管控制器的输入端通过第一nmos晶体管并联电路与正输入端连接，高压二极管控制器的输出端分别与积分电路的输入端和第一电容的一端连接，高压二极管控制器通过开关二极管与负输入端连接，积分电路的输出端与第二nmos晶体管并联电路的控制端连接，第二nmos晶体管并联电路的第一输入端与第一电容的另一端连接。解决了当适配器发生掉电或拔掉电源时，会产生逆向电流，以及开关电源切断时，经常会出现倒灌现象，导致电源或其他器件损坏的问题。

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【技术保护点】

1.一种多功能电路，其特征在于，包括防反接倒灌电路(1)和开机限流电路(2)；

2.根据权利要求1所述的多功能电路，其特征在于，所述第一NMOS晶体管并联电路(11)包括至少四个第一NMOS晶体管(111)；

3.根据权利要求1所述的多功能电路，其特征在于，所述积分电路(21)包括第二电容(211)和第三电阻(212)；

4.根据权利要求3所述的多功能电路，其特征在于，还包括稳压二极管(5)；

5.根据权利要求1所述的多功能电路，其特征在于，所述第二NMOS晶体管并联电路(23)包括第四电阻(233)和至少四个第二NMOS晶体管(234)；

6.根据权利要求1所述的多功能电路，其特征在于，还包括第一电阻(6)和第二电阻(7)；

【技术特征摘要】

1.一种多功能电路，其特征在于，包括防反接倒灌电路(1)和开机限流电路(2)；

2.根据权利要求1所述的多功能电路，其特征在于，所述第一nmos晶体管并联电路(11)包括至少四个第一nmos晶体管(111)；

3.根据权利要求1所述的多功能电路，其特征在于，所述积分电路(21)包括第二电容(211)和第三电阻(212)；<...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘旭，薛红兵，郭耀江，
申请(专利权)人：中电科瑞志电源技术西安有限公司，
类型：新型
国别省市：