一种应用于高速高精度ADC的低功耗参考电压缓冲器制造技术

技术编号:44130179 阅读:27 留言:0更新日期:2025-01-24 22:49
本发明专利技术公开了一种应用于高速高精度ADC的低功耗参考电压缓冲器,该电路使用二极管方式连接的PMOS管实现电阻,同时结合开环结构的高带宽特性,实现了AB类输出,在保证瞬态响应速度的同时,能有效地减少输出电压缓冲器的功耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及参考电压缓冲器,具体涉及一种应用于高速高精度adc的低功耗参考电压缓冲器。


技术介绍

1、近几十年来超大规模集成电路飞速发展,不断催生新的应用场景。在以wifi为代表的移动终端应用中,以低功耗和小面积为特点的逐次逼近寄存器型模数转换器(saradc,successive approximation register analog-to-digital converter)很受欢迎。在802.11ac/ax标准下60-70db的信噪比是满足行链路噪声预算的必要条件(要求模数转换器(adc,analog-to-digital converter)具有10-bit以上的分辨率);同时由于wifi信号的工作频率越来越快,对信号的要求越来越高,这些条件都对adc的速度与精度要求不断提高;同时,移动终端对功耗的追求限制着adc架构的选择。sar adc串行工作的特点使得其速度天然受限,然而,其工艺兼容性好的特点使得其工作速度随着互补金属氧化物半导体(cmos,complementary metal oxide semiconductor)工艺的按比例缩小本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种应用于高速高精度ADC的低功耗参考电压缓冲器,其特征在于:包括反馈回路、电流镜和输出支路;其中,

2.根据权利要求1所述的应用于高速高精度ADC的低功耗参考电压缓冲器,其特征在于:所述放大器的正向输入端输入0.7V的带隙基准电压。

3.根据权利要求1所述的应用于高速高精度ADC的低功耗参考电压缓冲器,其特征在于:所述第一NMOS管Mn1和所述第二NMOS管Mn2满足;

4.根据权利要求3所述的应用于高速高精度ADC的低功耗参考电压缓冲器,其特征在于:所述比例系数K1与所述第二NMOS管Mn2的跨导相关联。

5.根据权利要求1所述的应...

【技术特征摘要】

1.一种应用于高速高精度adc的低功耗参考电压缓冲器,其特征在于:包括反馈回路、电流镜和输出支路;其中,

2.根据权利要求1所述的应用于高速高精度adc的低功耗参考电压缓冲器,其特征在于:所述放大器的正向输入端输入0.7v的带隙基准电压。

3.根据权利要求1所述的应用于高速高精度adc的低功耗参考电压缓冲器,其特征在于:所述第一nmos管mn1和所述第二nmos管mn2满足;

4.根据权利要求3所述的应用于高速高精度adc的低功耗参考电压缓冲器,其特征在于:所述比例系数k1与所述第二nmos管mn2的跨导相关联。

5.根据权利要求1所述的应用于高速高精度adc的低功耗参考电压缓冲器,其特征在于:所述第一电压源的输入电压小于第二电压源的输入电压。

6.根据权利要求5所述的应用于高...

【专利技术属性】
技术研发人员:白春风李乐怡白龙
申请(专利权)人:杭州越芯微电子技术有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1