【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体集成电路制造，具体涉及一种电感互连孔槽的制造方法。
技术介绍
1、对于射频产品，如机顶盒，蓝牙，手机内置芯片相关产品，需要用到信号接收的终端产品，一般都有电感的设计，而且对电感要求较高，目的是保证信号接收的可靠性及准确性。
2、电感主要是通过厚铜或厚铝金属布线来实现。表征电感的一个重要参数是q品质因素。其中q值表示电感线圈损耗大小，q越大电感损耗越小，效率越高，采用厚铜工艺可以获得高的q值。
3、电感互连孔槽选择双大马士革制造工艺主要是考虑产品的电流过载能力，通常选用较宽金属布线，金属布线的宽度需要考虑产品设计的电流上限。
4、相关技术中的双大马士革工艺制造通常较为复杂。
技术实现思路
1、本申请提供了一种电感互连孔槽的制造方法，可以简化相关技术制造电感互连孔槽较为复杂的问题。
2、为了解决
技术介绍
中所述的技术问题，本申请提供一种电感互连孔槽的制造方法，所述电感互连孔槽的制造方法包括以下步骤：
3、形成顶层层间介质层；
4、通过第一光刻胶层在所述顶层层间介质层上定义出电感互连孔窗口；
5、基于所述电感互连孔窗口刻蚀所述顶层层间介质层，在所述顶层层间介质层中形成电感互连孔，所述电感互连孔向下贯穿所述顶层层间介质层；
6、去除所述第一光刻胶层后沉积底部抗反射层，沉积的底部抗反射层填充所述电感互连孔的下部；
7、通过第二光刻胶层在所述顶层层间介质层上定义电感互连槽窗
8、基于所述电感互连槽窗口刻蚀所述顶层层间介质层的上部，在所述顶层层间介质层的上部中形成电感互连槽，所述电感互连槽向下连通所述电感互连孔；
9、去除剩余的第二光刻胶层、位于所述电感互连孔中的底部抗反射层和所述底部抗反射层下的隔离层，使得前层互连结构的金属互连线从所述电感互连孔外露。
10、可选地，所述形成顶层层间介质层的步骤中，所述顶层层间介质层的厚度范围为14000a至18000a。
11、可选地，所述去除所述第一光刻胶层后沉积底部抗反射层，沉积的底部抗反射层填充所述电感互连孔的下部的步骤，所述底部抗反射层的填充高度占所述电感互连孔高度的三分之一至二分之一。
12、可选地，所述通过第二光刻胶层在所述顶层层间介质层上定义电感互连槽窗口的步骤包括：
13、在所述顶层层间介质层上形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层填充满下部填充有底部抗反射层的电感互连孔的上部空间；
14、通过曝光、显影工艺在所述第二光刻胶层中形成电感互连槽窗口，所述电感互连槽窗口对准所述电感互连孔；
15、在所述显影工艺中填充所述电感互连孔上部空间的部分第二光刻胶层被去除。
16、可选地，所述在所述显影工艺中填充所述电感互连孔上部空间的部分第二光刻胶层被去除的步骤完成后，填充在所述电感互连孔中第二光刻胶层与底部抗反射层的层叠结构高度占所述电感互连孔高度的三分之二至四分之三。
17、可选地，所述基于所述电感互连槽窗口刻蚀所述顶层层间介质层的上部，在所述顶层层间介质层的上部中形成电感互连槽，所述电感互连槽向下连通所述电感互连孔的步骤，包括：
18、基于所述电感互连槽窗口，通过干法刻蚀工艺刻蚀10000a至12000a厚度的顶层层间介质层，在所述顶层层间介质层中形成电感互连槽，所述电感互连槽向下连通所述电感互连孔。
19、可选地，所述去除剩余的第二光刻胶层、位于所述电感互连孔中的底部抗反射层和所述底部抗反射层下的隔离层，使得前层互连结构的金属互连线从所述电感互连孔外露的步骤，包括：
20、刻蚀去除剩余的第二光刻胶层和位于所述电感互连孔中的底部抗反射层；
21、刻蚀去除位于底部抗反射层下的隔离层，使得前层互连结构的金属互连线从所述电感互连孔外露。
22、本申请技术方案，至少包括如下优点：通过在电感互连孔中部分填充底部抗反射层，随后直接进行电感互连槽窗口的定义和刻蚀，以形成位于电感互连孔上的电感互连槽，以节约工艺。
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1.一种电感互连孔槽的制造方法，其特征在于，所述电感互连孔槽的制造方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的电感互连孔槽的制造方法，其特征在于，所述形成顶层层间介质层的步骤中，所述顶层层间介质层的厚度范围为14000A至18000A。
3.如权利要求1所述的电感互连孔槽的制造方法，其特征在于，所述去除所述第一光刻胶层后沉积底部抗反射层，沉积的底部抗反射层填充所述电感互连孔的下部的步骤，所述底部抗反射层的填充高度占所述电感互连孔高度的三分之一至二分之一。
4.如权利要求1所述的电感互连孔槽的制造方法，其特征在于，所述通过第二光刻胶层在所述顶层层间介质层上定义电感互连槽窗口的步骤包括：
5.如权利要求4所述的电感互连孔槽的制造方法，其特征在于，所述在所述显影工艺中填充所述电感互连孔上部空间的部分第二光刻胶层被去除的步骤完成后，填充在所述电感互连孔中第二光刻胶层与底部抗反射层的层叠结构高度占所述电感互连孔高度的三分之二至四分之三。
6.如权利要求1所述的电感互连孔槽的制造方法，其特征在于，所述基于所述电感互连槽窗口刻蚀所述顶层
7.如权利要求1所述的电感互连孔槽的制造方法，其特征在于，所述去除剩余的第二光刻胶层、位于所述电感互连孔中的底部抗反射层和所述底部抗反射层下的隔离层，使得前层互连结构的金属互连线从所述电感互连孔外露的步骤，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种电感互连孔槽的制造方法，其特征在于，所述电感互连孔槽的制造方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的电感互连孔槽的制造方法，其特征在于，所述形成顶层层间介质层的步骤中，所述顶层层间介质层的厚度范围为14000a至18000a。
3.如权利要求1所述的电感互连孔槽的制造方法，其特征在于，所述去除所述第一光刻胶层后沉积底部抗反射层，沉积的底部抗反射层填充所述电感互连孔的下部的步骤，所述底部抗反射层的填充高度占所述电感互连孔高度的三分之一至二分之一。
4.如权利要求1所述的电感互连孔槽的制造方法，其特征在于，所述通过第二光刻胶层在所述顶层层间介质层上定义电感互连槽窗口的步骤包括：
5.如权利要求4所述的电感互...
【专利技术属性】
技术研发人员：侯冰霞，郭海亮，赵志，张称，赵雁雁，汪健，王玉新，宋振伟，张其学，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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