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本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及电感互连孔槽的制造方法，包括以下步骤：形成顶层层间介质层；通过第一光刻胶层在顶层层间介质层上定义出电感互连孔窗口；基于电感互连孔窗口刻蚀顶层层间介质层，在顶层层间介质层中形成电感互连孔，电感互连...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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