一种适用于宽频带设计的单刀单掷开关器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种适用于宽频带设计的单刀单掷开关器件及其制备方法，器件包括：半导体基底以及制备于半导体基底上的欧姆金属、栅金属和多个部分的互连金属；欧姆金属包括依次排列的多个重构区域，其中相邻的重构区域之间设有栅槽；栅金属包括第一栅条、第二栅条和第三栅条；第一栅条和第二栅条分别位于两个目标重构区域内侧的栅槽处，且通过第一部分的互连金属实现互连；第三栅条穿插设置于各非目标重构区域间的栅槽处并一体连接；各非目标重构区域分为两组，其中相邻的非目标重构区域位于不同的组，两组非目标重构区域分别通过第二部分和第三部分的互连金属实现同组互连。本发明专利技术提高了开关器件在高频下的隔离度性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体领域，具体涉及一种适用于宽频带设计的单刀单掷开关器件及其制备方法。

技术介绍

1、射频前端始于天线，途径射频开关、功放等模块，结束于调制解调器。随着射频模块工作的提升，电路中元件的射频性能会有很大的恶化。对于射频开关器件而言，随着频率增加，寄生电容影响严重，隔离度恶化明显。因此，高性能的开关是实现无线通信收发机系统的关键。

2、对开关器件而言，需兼顾插入损耗、隔离度、功率容量等指标。目前hemt逐渐成为主流的开关器件，得到广泛的研究与应用。但是，现有hemt开关器件的插入损耗虽然很小，但高频下隔离度恶化严重，不利于宽带射频电路设计与研究。

技术实现思路

1、为了解决现有技术中所存在的上述问题，本专利技术提供了一种适用于宽频带设计的单刀单掷开关器件及其制备方法。

2、本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

3、一种适用于宽频带设计的单刀单掷开关器件，包括：半导体基底，以及制备于所述半导体基底上的欧姆金属、栅金属和多个部分的互连金属；

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【技术保护点】

1.一种适用于宽频带设计的单刀单掷开关器件，其特征在于，包括：半导体基底，以及制备于所述半导体基底上的欧姆金属、栅金属和多个部分的互连金属；

2.根据权利要求1所述的适用于宽频带设计的单刀单掷开关器件，其特征在于，所述单刀单掷开关器件还包括：制备于所述半导体基底上的第一栅极薄膜电阻和第二栅极薄膜电阻；

3.根据权利要求2所述的适用于宽频带设计的单刀单掷开关器件，其特征在于，所述两个目标重构区域还分别连接第七部分和第八部分的互连金属。

4.根据权利要求1所述的适用于宽频带设计的单刀单掷开关器件，其特征在于，所述单刀单掷开关器件的有源区位于所述欧姆金属所在...

【技术特征摘要】

1.一种适用于宽频带设计的单刀单掷开关器件，其特征在于，包括：半导体基底，以及制备于所述半导体基底上的欧姆金属、栅金属和多个部分的互连金属；

2.根据权利要求1所述的适用于宽频带设计的单刀单掷开关器件，其特征在于，所述单刀单掷开关器件还包括：制备于所述半导体基底上的第一栅极薄膜电阻和第二栅极薄膜电阻；

3.根据权利要求2所述的适用于宽频带设计的单刀单掷开关器件，其特征在于，所述两个目标重构区域还分别连接第七部分和第八部分的互连金属。

4.根据权利要求1所述的适用于宽频带设计的单刀单掷开关器件，其特征在于，所述单刀单掷开关器件的有源区位于所述欧姆金属所在的区域内，所述有源区包括串联分区和两个并联分区；

5.根据权利要求4所述的适用于宽频带设计的单刀单掷开关器件，其特征在于，所述并联分区和所述串联分区沿所述目标方向的尺寸通过仿真优化确定。

6.根据权利要求5所述的适用于宽频带...

【专利技术属性】
技术研发人员：张濛，邹旭，杨凌，马晓华，侯斌，武玫，郝跃，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：