【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种二维材料晶圆级无损转移方法及晶体管器件。
技术介绍
1、二维半导体器件规模化制备面临的一个主要挑战是大面积二维材料的无损转移。目前二维材料的转移方法主要分为干法转移和湿法转移。包括通过乙醇辅助分离从衬底上分离二维材料，利用胶或者hbn(六方氮化硼)来捡起tmds(transition metaldichalcogenides，过渡金属硫化物)，还有利用胶和滚压方式的roll to roll转移法，这些干法转移的方法都存在污染，转移精度低，易引入缺陷的问题。湿法转移则是通过旋涂pmma(polymethyl methacrylate，聚甲基丙烯酸甲酯)或用金膜来捡起材料，转移后刻蚀去除，这些转移过程中会在二维材料上留下无法去除的残留，严重影响器件的性能，而且转移的大面积材料通常存在褶皱和裂纹。
技术实现思路
1、基于上述问题，本公开提供了一种二维材料晶圆级无损转移方法及晶体管器件，以缓解现有技术中的上述技术问题。
2、本公开的一个方面，提供一种二维材...
【技术保护点】
1.一种二维材料晶圆级无损转移方法，包括：
2.根据权利要求1所述的二维材料晶圆级无损转移方法，在操作S1中，通过CVD在衬底上生长单层二维半导体材料层。
3.根据权利要求2所述的二维材料晶圆级无损转移方法，所述二维半导体材料层为单层TMDs。
4.根据权利要求1所述的二维材料晶圆级无损转移方法，在操作S4中，所述新的衬底为硅片衬底。
5.根据权利要求1所述的二维材料晶圆级无损转移方法，在操作S5中，通过电子束光刻在PMMA上打开窗口暴露出下面的金属锑。
6.根据权利要求5所述的二维材料晶圆级无损转移方法，通...
【技术特征摘要】
1.一种二维材料晶圆级无损转移方法，包括：
2.根据权利要求1所述的二维材料晶圆级无损转移方法，在操作s1中，通过cvd在衬底上生长单层二维半导体材料层。
3.根据权利要求2所述的二维材料晶圆级无损转移方法，所述二维半导体材料层为单层tmds。
4.根据权利要求1所述的二维材料晶圆级无损转移方法，在操作s4中，所述新的衬底为硅片衬底。
5.根据权利要求1所述的二维材料晶圆级无损转移方法，在操作s5中，通过电子束光刻在pmma上打开窗口暴露出下面的金属锑。
6.根据权利要求5所述的二维材...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗军，黄真，刘颂，许静，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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