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本公开提供一种二维材料晶圆级无损转移方法及晶体管器件，无损转移方法包括：操作S1：在衬底上生长单层二维半导体材料层；操作S2：在所述二维半导体材料层上蒸镀金属锑；操作S3：在金属锑表面旋涂PMMA；操作S4：通过PMMA辅助湿法转移将镀有金...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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