一种复合硅材料和硅基负极片、锂电池制造技术

本发明专利技术提供一种复合硅材料，该复合硅材料包括钴掺杂硅材料和铬掺杂硅材料，在复合硅材料中，钴元素的质量：铬元素的质量：硅元素的质量＝(0.5～1.2)：(0.8～2.5)：99；复合硅材料的粒径D50为4μm～8μm，复合硅材料的孔隙率为10％～30％。本发明专利技术通过采用合适含量的钴元素、铬元素对硅材料进行掺杂，有利于实现对复合硅材料的尺寸和形貌进行有效调控，从而使应用其的负极片和锂电池具有优异的循环性能和锂离子传输动力学特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于锂电池，具体地，涉及一种复合硅材料和硅基负极片、锂电池。

技术介绍

1、硅材料，在锂电池领域因其高理论比容量(硅的理论比容量高达4200mah/g)而备受关注，被视为下一代锂电池负极材料的潜在候选者。然而，硅材料的本征电子导电率相对较低，这直接影响了电池的倍率性能，即电池在高电流密度下的充放电能力；且硅材料在充放电过程中存在巨大的体积效应，严重影响了电池的循环寿命和安全性。因此，如何改善硅材料的低电导率和体积膨胀问题，是本领域技术人员在研究中急需解决的技术问题。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供一种复合硅材料和硅基负极片、锂电池，该复合硅材料具有高电子电导率、低循环膨胀的优点，使应用其的锂电池具有优异的动力学特性。

2、根据本专利技术的一个方面，提供一种复合硅材料，复合硅材料包括钴掺杂硅材料和铬掺杂硅材料，在复合硅材料中，钴元素的质量：铬元素的质量：硅元素的质量＝(0.5～1.2)：(0.8～2.5)：99；复合硅材料的粒径d50为4μm～8μm，复合硅材料的孔隙率为10％～本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种复合硅材料，其特征在于，所述复合硅材料包括钴掺杂硅材料和铬掺杂硅材料，在所述复合硅材料中，钴元素的质量：铬元素的质量：硅元素的质量＝(0.5～1.2)：(0.8～2.5)：99；

2.如权利要求1所述复合硅材料，其特征在于，所述钴掺杂硅材料的孔径为4nm～12nm，所述铬掺杂硅材料的孔径为6nm～15nm。

3.如权利要求2所述复合硅材料，其特征在于，

4.如权利要求2或3所述复合硅材料，其特征在于，

5.如权利要求1所述复合硅材料，其特征在于，

6.如权利要求5所述复合硅材料，其特征在于，

<p>7.如权利要求6...

【技术特征摘要】

1.一种复合硅材料，其特征在于，所述复合硅材料包括钴掺杂硅材料和铬掺杂硅材料，在所述复合硅材料中，钴元素的质量：铬元素的质量：硅元素的质量＝(0.5～1.2)：(0.8～2.5)：99；

2.如权利要求1所述复合硅材料，其特征在于，所述钴掺杂硅材料的孔径为4nm～12nm，所述铬掺杂硅材料的孔径为6nm～15nm。

3.如权利要求2所述复合硅材料，其特征在于，

4.如权利要求2或3所述复合硅材料，其特征在于，

5.如权利要求1所述复合硅材料，其特征在于，

6.如权利要求5所述复合硅材...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢英朋，赵瑞瑞，冀亚娟，
申请(专利权)人：惠州亿纬锂能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：