【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种免剥离的金辅助转移单层二维半导体方法及晶体管器件。
技术介绍
1、二维半导体器件制备面临的一个主要挑战是高质量二维材料的制备，特别是单层材料。过去的十五年里，机械剥离是实验室制备单层二维材料的主要方法。然而，通过机械剥离获得单层二维材料，及用于制备二维半导体器件的过程存在诸多问题：第一，机械剥离得到单层产率低，尺寸小。
2、第二，在器件的制备过程中，转移单层二维材料会对材料表面造成污染。
3、第三，电极蒸镀也会对单层二维材料表面造成损坏。
技术实现思路
1、基于上述问题，本公开提供了一种免剥离的金辅助转移单层二维半导体方法及晶体管器件，以缓解现有技术中的上述技术问题。
2、技术方案
3、本公开的一个方面，提供一种免剥离的金辅助转移单层二维半导体方法，包括：
4、操作s1：将氮化硼转移到衬底上，形成介电层；
5、操作s2：在所述介电层的两侧分别蒸镀金电极层；
6、操作s3：在介电...
【技术保护点】
1.一种免剥离的金辅助转移单层二维半导体方法，包括：
2.根据权利要求1所述的免剥离的金辅助转移单层二维半导体方法，在操作S1中，通过转移平台将氮化硼转移到衬底上。
3.根据权利要求1所述的免剥离的金辅助转移单层二维半导体方法，所述聚合物层为聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯。
4.根据权利要求1所述的免剥离的金辅助转移单层二维半导体方法，在操作S4中，通过开孔胶带将介电层、金电极层和聚合物层由衬底上剥离。
5.根据权利要求1所述的免剥离的金辅助转移单层二维半导体方法，在操作S5中，通过金电极层覆盖块状二维半导体的边缘以撕取单层
【技术特征摘要】
1.一种免剥离的金辅助转移单层二维半导体方法，包括：
2.根据权利要求1所述的免剥离的金辅助转移单层二维半导体方法，在操作s1中，通过转移平台将氮化硼转移到衬底上。
3.根据权利要求1所述的免剥离的金辅助转移单层二维半导体方法，所述聚合物层为聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯。
4.根据权利要求1所述的免剥离的金辅助转移单层二维半导体方法，在操作s4中，通过开孔胶带将介电层、金电极层和聚合物层由衬底上剥离。
5.根据权利要求1所述的免剥离的金辅助转移单层二维半导体方法，在操作s5中，通过金电极层覆盖块状二维半导体的边缘以撕取单层二维半导体层。
6.根据权利要求5所述的免剥离的金辅助转移单层二维半导体方法，剥离后...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗军，黄真，刘颂，许静，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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