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本公开提供一种免剥离的金辅助转移单层二维半导体方法及晶体管器件，该方法包括：操作S1：将氮化硼转移到衬底上，形成介电层；操作S2：在所述介电层的两侧分别蒸镀金电极层；操作S3：在介电层和金电极层表面旋涂聚合物层；操作S4：将介电层、金电极层...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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