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本发明公开了一种适用于宽频带设计的单刀单掷开关器件及其制备方法，器件包括：半导体基底以及制备于半导体基底上的欧姆金属、栅金属和多个部分的互连金属；欧姆金属包括依次排列的多个重构区域，其中相邻的重构区域之间设有栅槽；栅金属包括第一栅条、第二栅...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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