【技术实现步骤摘要】
本公开实施例属于半导体封装，具体涉及一种芯片封装方法。
技术介绍
1、如图1所示，目前多个存储芯片30采用堆叠方式通过硅中介层24堆叠设置在基板22上，利用硅通孔32实现垂直互联，其中，顶部存储芯片36无硅通孔32结构；堆叠的芯片数量越多，存储容量越大。随着芯片堆叠层数的增加，每一层与前一层之间的对位难度显著提升，为制造工艺带来严峻挑战，从而限制了堆叠层数的增加，影响存储容量的提升。
2、针对上述问题，有必要提出一种设计合理且有效解决上述问题的芯片封装方法。
技术实现思路
1、本公开实施例旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种芯片封装方法。
2、本公开实施例提供一种芯片封装方法，所述方法包括：
3、提供多个芯片，其中，每个所述芯片形成有与其焊盘电连接的凸块，形成包裹多个所述芯片的第一塑封层，以形成第一芯片模组；
4、形成重布线层，将多个所述芯片固定于所述重布线层，并在所述重布线层上形成包裹所述芯片的第二塑封层；
5、在所述第二塑封层上形成多个与所述重布线层电连接的塑封体导电柱，以形成第二芯片模组；
6、将多个所述第二芯片模组依次堆叠设置于基板，并将所述第一芯片模组堆叠至最上层所述第二芯片模组；其中，各芯片模组之间通过所述塑封体导电柱进行电连接。
7、可选的，在形成所述第一塑封层之后，所述方法还包括：
8、在所述第一塑封层露出的所述凸块上形成第一互连线路层，以形成所述第一芯片模
9、所述将所述第一芯片模组堆叠至最上层所述第二芯片模组，包括：
10、所述第一芯片模组的所述第一互连线路层与最上层所述第二芯片模组的所述重布线层电连接。
11、可选的，在形成所述塑封体导电柱之后，所述方法还包括：
12、在所述第二塑封层背离所述重布线层的表面形成与所述塑封体导电柱电连接的第二互连线路层，以形成所述第二芯片模组；
13、所述将多个所述第二芯片模组依次堆叠设置于基板，包括：
14、上层所述第二芯片模组的所述第二互连线路层与下层所述第二芯片模组的所述重布线层电连接；
15、最下层所述第二芯片模组的所述第二互连线路层与所述基板电连接。
16、可选的，所述将多个所述芯片固定于所述重布线层，包括：
17、将多个所述芯片的第二表面固定于所述重布线层；
18、所述形成所述第二塑封层，包括：
19、在所述重布线层上形成所述第二塑封层；
20、将所述第二塑封层进行减薄，以露出所述芯片第一表面的所述凸块。
21、可选的，所述在所述第二塑封层背离所述重布线层的表面形成与所述塑封体导电柱电连接的第二互连线路层，包括：
22、分别在所述芯片第一表面的所述凸块和所述第二塑封层背离所述重布线层的表面形成多个第二焊点，所述第二焊点分别与其对应的所述凸块和所述塑封体导电柱电连接。
23、可选的，所述将多个所述芯片固定于所述重布线层，还包括：
24、将多个所述芯片的第一表面固定于所述重布线层，其中，所述凸块与所述重布线层电连接；
25、所述形成所述第二塑封层，还包括：
26、在所述重布线层上形成所述第二塑封层；
27、将所述第二塑封层进行减薄，以露出所述芯片的第二表面。
28、可选的，所述在所述第二塑封层背离所述重布线层的表面形成与所述塑封体导电柱电连接的第二互连线路层，还包括：
29、在所述芯片的第二表面以及所述第二塑封层背离所述重布线层的表面形成布线层，所述布线层与所述塑封体导电柱电连接；
30、在所述布线层上形成多个与所述布线层电连接的焊球。
31、可选的，所述提供多个芯片，包括：
32、提供晶圆，其中，所述晶圆的第一表面依次设置有钝化层和所述焊盘；
33、在所述焊盘上形成与其对应且电连接的所述凸块；
34、对所述晶圆进行切割，形成多个所述芯片，其中，每个所述芯片的第一表面形成有与其所述焊盘电连接的所述凸块。
35、可选的，所述在所述第二塑封层上形成多个与所述重布线层电连接的塑封体导电柱，包括：
36、在所述第二塑封层上形成多个间隔分布的贯穿其厚度的通孔；
37、在所述通孔内填充导电材料，以形成所述塑封体导电柱。
38、可选的，所述将多个所述第二芯片模组依次堆叠设置于基板，并将所述第一芯片模组堆叠至最上层所述第二芯片模组之后，所述方法还包括：
39、在所述第一芯片模组和最上层所述第二芯片模组之间、相邻两个所述第二芯模组之间以及最下层所述第二芯片模组与所述基板之间形成底填胶层。
40、本公开实施例的芯片封装方法，通过分别形成包括横向设置多个芯片的第一芯片模组和第二芯片模组，并将多个第二芯片模组依次堆叠设置于基板，将第一芯片模组堆叠至最上层第二芯片模组，通过塑封体导电柱实现依次堆叠的第一芯片模组和第二芯片模组之间、多个第二芯片模组之间以及第二芯片模组和基板之间的垂直互连。每个第一芯片模组和第二芯片模组内可以设置多个芯片，显著提升芯片封装结构的存储容量，且可减少堆叠层数，提高整个芯片封装结构的稳定性；各芯片模组之间以更大直径的塑封体导电柱实现垂直互连，塑封体导电柱可以更好的将各芯片模组之间进行对位，实现各芯片模组之间的垂直互连，显著降低对位精度要求，提高芯片封装结构的稳定性。
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1.一种芯片封装方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述第一塑封层之后，所述方法还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述塑封体导电柱之后，所述方法还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述将多个所述芯片固定于所述重布线层，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述第二塑封层背离所述重布线层的表面形成与所述塑封体导电柱电连接的第二互连线路层，包括：
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述将多个所述芯片固定于所述重布线层，还包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述第二塑封层背离所述重布线层的表面形成与所述塑封体导电柱电连接的第二互连线路层，还包括：
8.根据权利要求1至7任一项所述的方法，其特征在于，所述提供多个芯片，包括：
9.根据权利要求1至7任一项所述的方法，其特征在于，所述在所述第二塑封层上形成多个与所述重布线层电连接的塑封体导电柱，包括：
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...【技术特征摘要】
1.一种芯片封装方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述第一塑封层之后，所述方法还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述塑封体导电柱之后，所述方法还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述将多个所述芯片固定于所述重布线层，包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述第二塑封层背离所述重布线层的表面形成与所述塑封体导电柱电连接的第二互连线路层，包括：
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述将多个所述芯片固定于所述重...
【专利技术属性】
技术研发人员：陶玉娟，朱秋昀，杨灵，
申请(专利权)人：通富微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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