【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别是涉及一种晶圆位置调整装置及刻蚀机台。
技术介绍
1、在半导体
中，为满足半导体结构微小型化（例如窄线宽、深沟槽等结构）的工艺需求，引入了先进图形薄膜(advanced patterning film，简称apf)，在刻蚀工艺中替代光刻胶作为掩膜层。在apf工艺中，为避免先进图形薄膜在晶圆的边缘成膜（即无定型碳膜，amorphous carbon, 简称α-c），需要在晶圆的边缘覆盖上盖环（shadow ring）；其中，为避免位置偏差问题，需要在进行盖环（shadow ring）之前，对晶圆在apf设备中的加热器（heater）上的相对位置进行校准。
2、然而，相关技术中的对于晶圆的位置校准，通常是通过位于加热器边缘的接触头（finger）直接接触晶圆表面对晶圆进行位置调整。这种通过物理接触进行位置调整的方式，会造成晶圆表面的介质层（例如氮化物层 nitride）出现损伤，容易造成颗粒异常，从而影响晶圆产品的良率。
技术实现思路
1、基于此，本申请...
【技术保护点】
1.一种晶圆位置调整装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆位置调整装置，其特征在于，至少三组所述喷气组件中每一所述喷气组件的出气面的所述出气孔均不高于所述晶圆的顶面，且不低于所述晶圆的底面。
3.根据权利要求1所述的晶圆位置调整装置，其特征在于，至少三组所述喷气组件中每一所述喷气组件的出气面的多个所述出气孔，均匀间隔阵列排布。
4.根据权利要求1-3任一项所述的晶圆位置调整装置，其特征在于，至少三组所述喷气组件被配置为：同时通入相同预设流量的惰性气体。
5.根据权利要求4所述的晶圆位置调整装置，其特征在于...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆位置调整装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆位置调整装置，其特征在于，至少三组所述喷气组件中每一所述喷气组件的出气面的所述出气孔均不高于所述晶圆的顶面，且不低于所述晶圆的底面。
3.根据权利要求1所述的晶圆位置调整装置，其特征在于，至少三组所述喷气组件中每一所述喷气组件的出气面的多个所述出气孔，均匀间隔阵列排布。
4.根据权利要求1-3任一项所述的晶圆位置调整装置，其特征在于，至少三组所述喷气组件被配置为：同时通入相同预设流量的惰性气体。
5.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱成龙，拉海忠，闫晓晖，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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