半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置，其降低热阻。半导体芯片(15b)在正面(15b5)具有发热点P1，散热基底板(30)在下表面(32)具有在侧视时与半导体芯片(15a)、(15b)的中间地点的正下方对应的散热点P0。此时，构成有从发热点P1到散热点P0的散热路径HP，基于相对于芯片宽度Lx的散热路径HP的热阻为最小的间隔来设定间隔d的下限值。如果将半导体芯片(15a)、(15b)隔开如此设定的间隔d而配置于绝缘电路基板(11)的正面，则热阻降低，半导体装置(对象装置(2))的散热性提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体装置。

技术介绍

1、半导体装置包括依次层叠有基底板、树脂层、电路图案的绝缘电路基板以及接合在电路图案上的半导体芯片。半导体芯片的侧端部从电路图案的外周端部向内侧配置预定的距离以上。由此，半导体芯片不会干扰电路图案的热扩散部，抑制电路图案相对于半导体芯片的散热性的降低(例如，参照专利文献1)。

2、另外，在将多个半导体芯片并列连接时，使半导体芯片彼此间的距离比半导体芯片与散热器之间的距离短，另外，使瞬时热阻抗降低材料、瞬时热阻抗增大材料介于半导体芯片与带有散热器的支承体之间。由此，半导体芯片彼此间的瞬时热阻抗变得比半导体芯片与散热器之间的瞬时热阻抗小(例如，参照专利文献2)。

3、另外，在将多个半导体芯片并列连接时，将包含开关元件的半导体芯片配置成交错状，并在它们之间配置包含二极管元件的半导体芯片。由此，能够使半导体芯片的发热高效地扩散(例如，参照专利文献3)。

4、另外，金属基底包括厚度薄的顶板部、比该顶板部厚的外周部、以及设置于该顶板部的背面的散热翅片。在这样的金属基底的顶板部上隔着绝缘基板配本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

...

【专利技术属性】
技术研发人员：增田晋一，山本拓也，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：