【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装,尤其涉及一种内埋芯片基板的制造方法及临时键合结构。
技术介绍
1、芯片内埋在基板内是一种先进的封装形式,通过将裸芯片内嵌在基板内,可以大幅度降低芯片与基板表面封装元件以及芯片间信号传输距离,减小信号传输损耗,提高信号传输质量;同时减小封装尺寸,压缩器件使用空间。
2、目前,芯片内埋基板主要的制造方法是在印刷线路板芯板中通过挖腔,将裸芯片嵌入后,用树脂填埋,再在芯板两侧进行多层布线形成基板。
3、现有芯片内埋基板制造方法中,基板的一面填埋树脂后进行单面压合过程中,由于结构的不对称性容易发生严重翘曲。基板的另一面进行绝缘层压合和固化烘烤过程中,基板又被压平,如此基板从翘曲到压平形成反复的弯折,固化的内埋树脂由于模量较高,过度翘曲和压平会导致刚性树脂开裂,刚性的内埋树脂和芯片界面结合力较弱,也会导致界面开裂。树脂开裂和芯片界面分离,可能导致内埋基板失效,甚至内埋基板在潮湿环境中,开裂界面水汽富集,导致内埋基板烧毁等严重的可靠性问题。因此,在基板加工制造中如何降低基板翘曲,是加工制造内埋基板的技
...【技术保护点】
1.一种内埋芯片基板的制造方法,其特征在于,包括步骤:
2.根据权利要求1所述的内埋芯片基板的制造方法,其特征在于,所述第一解键合之后还包括步骤:第一清洗,清洗所述第一键合面;和/或,
3.根据权利要求1所述的内埋芯片基板的制造方法,其特征在于,所述第一次预固化具体为:将该步骤形成的结构中的树脂固化至50%以上;或者,所述第一次预固化具体为:将该步骤形成的结构置于130℃-150℃恒温环境中保持30min-60min以使结构中的树脂进行预固化。
4.根据权利要求1所述的内埋芯片基板的制造方法,其特征在于,所述第二次预固化具体为:将该
...【技术特征摘要】
1.一种内埋芯片基板的制造方法,其特征在于,包括步骤:
2.根据权利要求1所述的内埋芯片基板的制造方法,其特征在于,所述第一解键合之后还包括步骤:第一清洗,清洗所述第一键合面;和/或,
3.根据权利要求1所述的内埋芯片基板的制造方法,其特征在于,所述第一次预固化具体为:将该步骤形成的结构中的树脂固化至50%以上;或者,所述第一次预固化具体为:将该步骤形成的结构置于130℃-150℃恒温环境中保持30min-60min以使结构中的树脂进行预固化。
4.根据权利要求1所述的内埋芯片基板的制造方法,其特征在于,所述第二次预固化具体为:将该步骤形成的结构中的树脂固化度至80%以上;或者,所述第二次预固化具体为:将该步骤形成的结构置于170℃-185℃恒温环境中保持25min-35min使结构中的树脂预固化。
5.根据权利要求1所述的内埋芯片基板的制造方法,其特征在于,所述树脂绝缘层加工步骤中的预固化具体为:将结构中的树脂绝缘层固化度至70%-80%;或者,所述树脂绝缘层加工步骤中的预固化具体为:将形成的结构置于95℃-105℃恒温环境中保持25min-35min之后,再置于170℃-185℃恒温环境中保持25min-35min。
6.根据权利要求1所述的内埋芯片基板的制造方法,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:于中尧,杨芳,
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所,
类型:发明
国别省市:
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