一种内埋芯片基板的制造方法及临时键合结构技术

技术编号:43345201 阅读:66 留言:0更新日期:2024-11-15 20:42
本发明专利技术公开一种内埋芯片基板的制造方法及临时键合结构,涉及半导体封装技术领域,以解决制造过程中基板过度翘曲的问题。内埋芯片基板的制造方法包括基板开窗、第一临时键合、贴芯片、第一压合填埋树脂、第二临时键合、第一解键合、第二压合填埋树脂和第二解键合、电路制作、树脂绝缘层加工、制作中间电路和固化等步骤。本方法中在形成对称结构前,结构中的树脂均为不完全固化状态,在每层树脂层加工完后进行一次预固化,并不是完全固化,所有树脂层均加工完之后再进行一次固化,如此可以保持低翘曲状态下,形成对称结构后再固化至90%以上,可以有效避免树脂开裂。临时键合结构是上述内埋芯片基板的制造方法过程中产生的一种临时结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体封装,尤其涉及一种内埋芯片基板的制造方法及临时键合结构


技术介绍

1、芯片内埋在基板内是一种先进的封装形式,通过将裸芯片内嵌在基板内,可以大幅度降低芯片与基板表面封装元件以及芯片间信号传输距离,减小信号传输损耗,提高信号传输质量;同时减小封装尺寸,压缩器件使用空间。

2、目前,芯片内埋基板主要的制造方法是在印刷线路板芯板中通过挖腔,将裸芯片嵌入后,用树脂填埋,再在芯板两侧进行多层布线形成基板。

3、现有芯片内埋基板制造方法中,基板的一面填埋树脂后进行单面压合过程中,由于结构的不对称性容易发生严重翘曲。基板的另一面进行绝缘层压合和固化烘烤过程中,基板又被压平,如此基板从翘曲到压平形成反复的弯折,固化的内埋树脂由于模量较高,过度翘曲和压平会导致刚性树脂开裂,刚性的内埋树脂和芯片界面结合力较弱,也会导致界面开裂。树脂开裂和芯片界面分离,可能导致内埋基板失效,甚至内埋基板在潮湿环境中,开裂界面水汽富集,导致内埋基板烧毁等严重的可靠性问题。因此,在基板加工制造中如何降低基板翘曲,是加工制造内埋基板的技术难题,是提高内埋基本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种内埋芯片基板的制造方法,其特征在于,包括步骤:

2.根据权利要求1所述的内埋芯片基板的制造方法,其特征在于,所述第一解键合之后还包括步骤:第一清洗,清洗所述第一键合面;和/或,

3.根据权利要求1所述的内埋芯片基板的制造方法,其特征在于,所述第一次预固化具体为:将该步骤形成的结构中的树脂固化至50%以上;或者,所述第一次预固化具体为:将该步骤形成的结构置于130℃-150℃恒温环境中保持30min-60min以使结构中的树脂进行预固化。

4.根据权利要求1所述的内埋芯片基板的制造方法,其特征在于,所述第二次预固化具体为:将该步骤形成的结构中的树...

【技术特征摘要】

1.一种内埋芯片基板的制造方法,其特征在于,包括步骤:

2.根据权利要求1所述的内埋芯片基板的制造方法,其特征在于,所述第一解键合之后还包括步骤:第一清洗,清洗所述第一键合面;和/或,

3.根据权利要求1所述的内埋芯片基板的制造方法,其特征在于,所述第一次预固化具体为:将该步骤形成的结构中的树脂固化至50%以上;或者,所述第一次预固化具体为:将该步骤形成的结构置于130℃-150℃恒温环境中保持30min-60min以使结构中的树脂进行预固化。

4.根据权利要求1所述的内埋芯片基板的制造方法,其特征在于,所述第二次预固化具体为:将该步骤形成的结构中的树脂固化度至80%以上;或者,所述第二次预固化具体为:将该步骤形成的结构置于170℃-185℃恒温环境中保持25min-35min使结构中的树脂预固化。

5.根据权利要求1所述的内埋芯片基板的制造方法,其特征在于,所述树脂绝缘层加工步骤中的预固化具体为:将结构中的树脂绝缘层固化度至70%-80%;或者,所述树脂绝缘层加工步骤中的预固化具体为:将形成的结构置于95℃-105℃恒温环境中保持25min-35min之后,再置于170℃-185℃恒温环境中保持25min-35min。

6.根据权利要求1所述的内埋芯片基板的制造方法,其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员:于中尧杨芳
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
类型:发明
国别省市:

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