电子装置制造方法及图纸

技术编号:43345263 阅读:23 留言:0更新日期:2024-11-15 20:42
本发明专利技术提供了一种电子装置,包括一基板、设置在所述基板上的复数个发光元件、设置在所述基板上且覆盖所述复数个发光元件的一覆盖层、以及设置在所述复数个发光元件中的相邻两个发光元件之间的一挡墙单元。所述挡墙单元包括一下表面,其邻近于所述基板的一上表面,而所述挡墙单元的所述下表面与所述基板的所述上表面之间具有一间距。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电子装置,特别是涉及一种包括反射挡墙单元的电子装置。


技术介绍

1、随着对现有的发光二极管显示器的要求增加,发展出板上晶片封装(chip onboard,cob)制程以降低发光单元之间的间距,进而改善发光二极管显示器的性能。板上晶片封装制程包括将发光二极管晶片接合在一基板上,而后在该基板上设置覆盖层以覆盖发光二极管晶片,以形成封装结构。然而,覆盖层的设置可能导致光线全反射的发生,并降低发光二极管显示器的出光量。因此,如何改善上述问题对于本领域仍是重要的议题之一。


技术实现思路

1、本专利技术的目的是在于提供一种电子装置。

2、本专利技术提供一种电子装置,其包括一基板、设置在基板上的复数个发光元件、设置在基板上且覆盖复数个发光元件的一覆盖层、以及设置在复数个发光元件中的相邻两个发光元件之间的一挡墙单元。挡墙单元包括一下表面,其邻近于基板的一上表面,而挡墙单元的下表面与基板的上表面之间具有一间距。

3、本专利技术提供一种电子装置,其包括一基板、设置在基板上的一发光元件、设本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电子装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述间距的范围从1微米到30微米。

3.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述覆盖层包括一凹槽,而所述挡墙单元设置在所述凹槽内。

4.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述挡墙单元包括一上表面,其相反于所述挡墙单元的所述下表面,所述覆盖层包括相反于所述基板的一上表面,在所述电子装置的一剖视图中,所述挡墙单元的所述上表面低于所述覆盖层的所述上表面。

5.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,还包括一遮光层,设置在所述覆盖层上。

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【技术特征摘要】

1.一种电子装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述间距的范围从1微米到30微米。

3.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述覆盖层包括一凹槽,而所述挡墙单元设置在所述凹槽内。

4.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述挡墙单元包括一上表面,其相反于所述挡墙单元的所述下表面,所述覆盖层包括相反于所述基板的一上表面,在所述电子装置的一剖视图中,所述挡墙单元的所述上表面低于所述覆盖层的所述上表面。

5.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,还包括一遮光层...

【专利技术属性】
技术研发人员:胡顺源
申请(专利权)人:群创光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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