【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及一种半导体器件，更具体地涉及一种包括掩埋栅的半导体器件。
技术介绍
1、随着电子工业的高度发展，对高集成度半导体器件的需求也逐渐增加。特别是，多晶硅已被用作双栅电极，以改善栅致漏极泄漏(gidl)特性。
技术实现思路
1、本公开的实施例是针对具有改进的电气特性的半导体器件。
2、根据本公开的一个实施例，一种半导体器件包括：沟槽，其形成在衬底中；栅极介电层，适用于覆盖沟槽的底表面和侧壁；第一栅电极，适用于在栅极介电层之上间隙填充沟槽的底部；第二栅电极，其形成在第一栅电极之上；以及抗氧化层，设置在第一栅电极和第二栅电极之间的界面处。
3、根据本专利技术的一个实施例，一种用于制造半导体器件的方法包括：在衬底中形成沟槽；用栅极介电层覆盖沟槽的底表面和侧壁；用第一栅电极在栅极介电层之上间隙填充沟槽的底部；在第一栅电极上局部设置抗氧化层；在抗氧化层之上且在沟槽中形成第二栅电极；在第二栅电极之上且在沟槽中形成覆盖层，从而完成掩埋栅结构；以及在衬底中与沟槽相邻地形
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述抗氧化层包括条形状。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述抗氧化层的厚度小于所述第一栅电极和所述第二栅电极中的每一个的厚度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述抗氧化层防止所述第一栅电极和所述第二栅电极之间的材料扩散，并且具有允许所述第一栅电极和所述第二栅电极之间电传导的厚度。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述抗氧化层具有至的厚度。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述抗氧化层包括收集氧的材
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【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述抗氧化层包括条形状。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述抗氧化层的厚度小于所述第一栅电极和所述第二栅电极中的每一个的厚度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述抗氧化层防止所述第一栅电极和所述第二栅电极之间的材料扩散，并且具有允许所述第一栅电极和所述第二栅电极之间电传导的厚度。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述抗氧化层具有至的厚度。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述抗氧化层包括收集氧的材料。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述抗氧化层包括含硅的材料。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述抗氧化层包括多晶硅。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极包括金属材料。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极中的每一个包括氮化钛。
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极中的每一个包括选自以下组中的一个或更多个：氮化钛tin、钼mo、氮化钽...
【专利技术属性】
技术研发人员：柳承完，南润才，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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