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本公开涉及半导体器件和用于形成其的方法。一种半导体器件包括：沟槽，其形成在衬底中；栅极介电层，适用于覆盖沟槽的底表面和侧壁；第一栅电极，适用于在栅极介电层之上间隙填充沟槽的底部；第二栅电极，其形成在第一栅电极之上；以及抗氧化层，设置在第一栅...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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