【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，具体涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、随着半导体技术的不断发展，光电通信的需求也在逐步提高，通过标准半导体工艺能够将硅光材料和器件集成在一起，主要包括光电调制器、探测器、波导器件等，其中，用于形成集成光波导的材料种类很多，由于氮化硅透光光谱宽、传输损耗低，通常采用lpcvd(low-pressure chemical vapor deposition，低压化学气相沉积)技术生成氮化硅波导，而且，由于薄膜铌酸锂(linbo3)具有优异的电光效应特性，也使得基于linbo3晶体制作得到的光电调制器被普遍使用于高效高带宽的长距离通信中。然而，氮化硅波导到铌酸锂薄膜之间的距离，对光从氮化硅波导耦合进入铌酸锂薄膜的高效率具有重要影响。
2、因此，如何缩短波导器件到光电调制结构之间的距离，以提升耦合效率，提高半导体器件的整体性能，也成为了本领域技术人员亟需解决的技术问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术实施例提供一种半导体结构及其形...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一埋层的表面高出所述波导器件的顶面，高出的距离为所述波导器件高度的1/10倍至3倍。
3.根据权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除部分第一埋层，在所述波导器件两侧形成导电沟槽，以及，连接所述导电沟槽底部和所述顶硅结构的接触孔，包括：
4.根据权利要求3所述半导结构的形成方法，其特征在于，所述顶硅结构至少包括接触层；
5.根据权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述导电沟槽和所述...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一埋层的表面高出所述波导器件的顶面，高出的距离为所述波导器件高度的1/10倍至3倍。
3.根据权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述去除部分第一埋层，在所述波导器件两侧形成导电沟槽，以及，连接所述导电沟槽底部和所述顶硅结构的接触孔，包括：
4.根据权利要求3所述半导结构的形成方法，其特征在于，所述顶硅结构至少包括接触层；
5.根据权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述导电沟槽和所述接触孔内形成用于电连接所述顶硅结构...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴家亨，曾红林，陈晓军，张冬生，殷霞革，冯霞，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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