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本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的第一埋层，以及，位于所述第一埋层内的波导器件和顶硅结构，其中，所述波导器件位于所述顶硅结构背离所述衬底一侧；去除部分第一埋层，在所述波导器...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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