一种稳定栅氧化层电学厚度的方法技术

本发明专利技术公开了一种稳定栅氧化层电学厚度的方法，其特征在于，该方法包括：在浅沟槽隔离工艺中去除氮化硅的步骤与生长栅氧化层的步骤之间的任意步骤之前或之后，对圆片进行紫外光处理。本发明专利技术减少了衬底中氢的浓度，稳定了后续生长栅氧化层时的氧化率，进一步稳定了栅氧化层的电学厚度，提高了工艺稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造技术，具体涉及一种稳定栅氧化层电学厚度的 方法。
技术介绍
在浅沟槽隔离(STI ， Shallow Trench Insulate )工艺中，通常利用高密 度等离子体(HDP, High Density Plasma)沉积技术来形成用于隔离的绝缘 介质，例如二氧化硅(Si02)。图l所示为现有技术中STI工艺处理方法流 程图。参见图1,在步骤100中，利用HDP沉积方法在刻蚀形成沟槽并进 行热氧化的圆片上沉积绝缘介质，例如二氧化硅，如图1中a所示；在步骤 101中利用化学机械抛光(CMP， Chemical Mechanical Polishing )技术将氮 化硅(Si3N4)层上面多余的二氧化硅去除，如图1中b所示；在步骤102 中去除氮化硅层，如图1中c所示；然后在步骤103中去除衬底上面的垫氧 化层(pad oxide),如图1中d所示。然后，经过一系列后续工艺之后，在 有源区上生长栅氧化层。在以上所述的HDP沉积二氧化硅工艺步骤中，通常利用氢等离子体来 进行同步溅射。因此，在沉积二氧化硅时，氢等离子体可能会穿透硅衬底上 的氮化硅和衬层氧化物，到本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种稳定栅氧化层电学厚度的方法，其特征在于，该方法包括：在浅沟槽隔离工艺中去除氮化硅的步骤与生长栅氧化层的步骤之间的任意步骤之前或之后，对圆片进行紫外光处理。

【技术特征摘要】
1、一种稳定栅氧化层电学厚度的方法，其特征在于，该方法包括在浅沟槽隔离工艺中去除氮化硅的步骤与生长栅氧化层的步骤之间的任意步骤之前或之后，对圆片进行紫外光处理。2、 如权利要求l所述的方法，其特征在于，所述紫外光的波长为300nm。3、 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述紫外光处理的时间为10 分钟。4、 如权利要求l所述的方法，其特征在于，所述紫外光处理时的温度为室、、曰。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘明源，刘乒，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]