小晶体生长条件筛查装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种小晶体生长条件筛查装置，属于单晶生长领域。配合物小晶体合成条件筛查工作中普遍存在昼夜温差干扰问题，本案旨在解决这一问题。本案装置包括一个扁平盒状物，该扁平盒状物含有两个宽阔盒面，在其中的一个宽阔盒面上装设有许多的有底的凹形坑洞，凹形坑洞的内腔形状呈圆柱状，凹形坑洞的深度尺寸介于５．０厘米到６．０厘米之间，凹形坑洞的圆柱形内腔直径介于５．３厘米到５．５厘米之间，扁平盒状物上装设有进水接口以及出水接口，进水接口以及出水接口均与扁平盒状物内部联通。本案装置的应用可以为相关筛查实验提供温度受到精细控制的较理想条件。本案装置封闭的工作面构造，还有助于防止恒温水因压力失衡而由工作面或其附近溢出。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种小晶体生长条件筛查装置，属于C30B单晶生长领域。
技术介绍
有许多的国内外科研机构开展配合物小晶体的合成探索及其结构分析研究工作，这样的研究具有双重意义， 一方面，有助于进一步深入地探求相关科学规律，另一方面，某些具有潜在应用前景的新型晶体也有望在这一过程中得以揭不。这类研究中，首先要做的事情，是探查新晶体的合成条件，其中，室温或近室温条件下的溶剂挥发法因其温和的方式而通常被优先关注。由于存在诸多的可能影响配合物小晶体生长速率及晶体品质的条件因素，因而，筛査性的合成实验通常是必须的，这一类筛査性实验一般选择同时使用许多的一百毫升烧杯展开平行的合成探査，优先选择这种尺寸的烧杯是由这类实验的剂量以及与这种剂量相适应的溶剂挥发合成手段决定的。上述实验通常只涉及数毫升至数十毫升滤清反应液这样一种较小的反应剂量。大体的合成步骤是，先将按设计配制的各滤清反应液分别置于不同的烧杯里，在各烧杯的杯口处包覆开有一些微小空洞的聚乙烯膜，然后，将各烧杯静置于室内通风处，各烧杯内的溶剂经由各聚乙烯覆膜上的微小空洞缓慢挥发，逐渐反应、浓縮并进而形成相关配合物小晶体。本案设计人注意到，由于存在本文档来自技高网...

【技术保护点】
小晶体生长条件筛查装置，包括一个扁平盒状物，该扁平盒状物含有两个宽阔盒面，在其中的一个宽阔盒面上装设有许多的有底的凹形坑洞，凹形坑洞的内腔形状呈圆柱状，凹形坑洞的深度尺寸介于５．０厘米到６．０厘米之间，凹形坑洞的圆柱形内腔直径介于５．３厘米到５．５厘米之间，扁平盒状物上装设有进水接口以及出水接口，进水接口以及出水接口均与扁平盒状物内部联通。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李榕生，宋岳，杨欣，王青春，姜晶晶，刘晓利，
申请(专利权)人：宁波大学，
类型：实用新型
国别省市：97[中国|宁波]